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SFP+ LRは高性能のためにとりわけ統合した光ファイバー単一モード上の複式アパートのデータ伝送を設計されている。このトランシーバー モジュールは小さい形態要因プラグイン可能なプラス（SFP+）のMultisource一致（SFF-8431 Rev4.1）と迎合的である。このトランシーバーのタイプは10.3125までGbpsのシリアル データの輸送のためにとりわけ最大限に活用されるリンク特徴に802.3aeおよび10G繊維チャネル1200-SM-LL-Lは10ギガビットのイーサネット10GBASE-LR基盤IEEEに従った。
ホットプラグ対応 サポート
より低いEMIの金属
優秀なESDの保護
DFBの送信機およびPINの受信機
典型的な中心の波長:1310nm
SMFの最高のリンク長さ20Kmまで
迎合的な、無鉛RoHS
SFF-8472と互換性があるデジタル診断
場合操作の温度:- 40℃~+85℃
単一3.3V電源および低い電力の消滅 <1>
10GBASE-LR/LWイーサネット@10.3125G
繊維チャネル800-SM-LC-L 8GFC @8.5G、1200-SM-LL-L 10GFC @10.51875G
SONET OC-192及びSDH STM-64 @9.953G
CPRIの選択#7 @9.83G、#8 @10.1376G
OTN OTU2 @10.7G、OTU2e @11.09G、OTU2f @11.32G
|
変数 |
記号 |
Min. |
タイプ。 |
最高。 |
単位 |
ノート |
|
作動の日付率 |
DR |
8.5 |
10.3125 |
11.32 |
Gb/s |
|
|
光学進水力 |
Po |
-8.2 |
|
+0.5 |
dBm |
1 |
|
光心の波長 |
λc |
1260 |
1310 |
1355 |
nm |
|
|
分光幅（- 20dB） |
Δλ |
|
|
1 |
nm |
|
|
側面モード抑制の比率 |
SMSR |
30 |
|
|
dB |
|
|
光学絶滅の比率 |
ER |
3.5 |
|
|
dB |
|
|
光学目マスク |
|
IEEE802.3ae |
|
|||
|
相対的な強度の騒音 |
RIN |
|
|
-128 |
dB/Hz |
|
|
差動振動をデータ入力 |
VIN |
180 |
|
850 |
mV |
|
|
TXのディスエイブルによって入れられる電圧低い（TX） |
TDISVL |
GND |
|
0.8 |
V |
|
|
TXのディスエイブルによって入れられる電圧の高さ（TX） |
TDISVH |
2.0 |
|
Vcc |
V |
|
|
TXの欠陥は電圧低い出力した（TXの常態） |
TFLTVL |
GND |
|
0.8 |
V |
|
|
TXの欠陥は電圧の高さを出力した（TXの欠陥） |
TFLTVH |
2.0 |
|
Vcc |
V |
|
|
変数 |
記号 |
Min. |
タイプ。 |
最高。 |
単位 |
ノート |
|
作動の日付率 |
DR |
8.5 |
10.3125 |
11.32 |
Gb/s |
|
|
受信機の感受性 |
PIN_min |
|
|
-14.5 |
dBm |
1 |
|
最高の入力パワー |
PIN_max |
+0.5 |
|
|
dBm |
1 |
|
光心の波長 |
λc |
1260 |
|
1620 |
nm |
|
|
LOSは非主張する |
LOSD |
|
|
-15.5 |
dBm |
|
|
LOSは主張する |
LOSA |
-30 |
|
|
dBm |
|
|
LOSヒステリシス |
LOSHY |
0.5 |
|
|
dB |
|
|
差動データ出力の振動 |
VOUT |
300 |
|
900 |
mV |
|
|
受信機LOS信号は電圧低い出力した |
LOSVL |
GND |
|
0.8 |
V |
|
|
受信機LOS信号は電圧の高さを出力した |
LOSVH |
2.0 |
|
Vcc |
V |
