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BomのリストのMcuの電子部品STM32F205ZET6 M24512-DFDW6TP STL285N4F7AG STP70N10F4 ICの破片
製品特質
タイプ | 記述 |
部門 | 分離した半導体製品 |
単一トランジスター- FETs、MOSFETs - | |
Mfr | STMicroelectronics |
シリーズ | STripFET™ F7 |
パッケージ | テープ及び巻き枠(TR) |
プロダクト状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 40ボルト |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 120A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 1.1mOhm @ 24A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 67 NC @ 10ボルト |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 5600 pF @ 25ボルト |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 188W (Tc) |
実用温度 | -55°C | 175°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | PowerFlat™ (5x6) |
パッケージ/場合 | 8-PowerVDFN |
基礎プロダクト数 | STL285 |
環境及び輸出分類
属性 | 記述 |
---|---|
RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
湿気感受性のレベル(MSL) | 1 (無制限) |
範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
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