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半導体およびエネルギー産業におけるセラミックノズル向け高度焼結技術と精密雰囲気制御
本製品は、99.6%の高純度窒化ケイ素（Si₃N₄）材料を使用し、精密に制御された焼結プロセスによって製造されています。最適な微細構造と性能を確保するために、多段階勾配焼結曲線と精密雰囲気制御技術を利用しています。
航空機エンジン：高温燃料噴射システム
エネルギー設備：ガスタービン燃焼室
工業用スプレー：HVOF（高速酸素燃料）スプレー
3Dプリンティング：金属粉末噴霧装置
半導体：ウェーハ洗浄装置
✓ 精密な温度制御：±3℃の炉内均一性
✓ 正確な雰囲気：酸素濃度≤5ppmの窒素保護
✓ 最適化された勾配：12セグメントのプログラム可能な加熱曲線
✓ 粒界制御：最適な粒界相組成
✓ 密度保証：相対密度≥99.5%
| 焼結パラメータ | 制御基準 | 検査方法 |
|---|---|---|
| ピーク焼結温度 | 1850±5℃ | 赤外線温度計 |
| 保持時間 | 4±0.2時間 | デジタルタイマー |
| 加熱速度 | 調整可能3-5℃/分 | 曲線記録 |
| 窒素純度 | ≥99.999% | ガス分析 |
| 炉内圧力 | 10±0.5MPa | デジタルマノメーター |
| 密度試験 | ≥3.24g/cm³ | アルキメデス法 |
脱バインダー段階：
温度：600℃以下
雰囲気：窒素ガス流
時間：12-16時間
予備焼結段階：
温度：1200-1500℃
加熱速度：3℃/分
保持：2時間
高温焼結：
温度：1850℃
雰囲気：高圧窒素（10MPa）
保持：4時間
冷却制御：
速度：2-3℃/分（1000℃以上）
保護：連続窒素ガス流
⚠️ 設置：セラミック専用工具を使用
⚠️ 温度制限：連続使用≤1600℃
⚠️ 圧力制限：使用圧力≤80MPa
⚠️ メディア制限：HF環境を避ける
技術サポート：無料焼結プロセス相談
カスタマイズ：特殊焼結曲線開発
緊急対応：24時間技術サポート
Q: 焼結温度偏差の影響は？
A: ±5℃以内では影響は最小限ですが、±10℃を超えると強度が大幅に低下します。
Q: バッチの一貫性を確保するには？
A: デジタル焼結曲線トレーサビリティシステム。
Q: 特殊形状の焼結制御は？
A: カスタム金型とサポートシステムをご利用いただけます。
