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MX25947 ファミリの電子ヒューズは、小型パッケージで高度に集積化された回路保護および電源管理ソリューションです。このデバイスは外部コンポーネントをほとんど使用せず、複数の保護モードを提供します。これらは、過負荷、短絡、電圧サージ、過剰な突入電流、逆電流に対して効果的です。電流制限レベルは外部抵抗を使用してプログラムできます。内部回路は過電圧を保護するために内部 FET をオフにします。特別な電圧ランプ要件を持つアプリケーションでは、単一のコンデンサを使用して dVdT をプログラムし、適切な出力ランプ速度を確保できます。
特徴
* 動作入力電圧範囲 VIN: 4.5V~24V
* 28mΩオンMOS電界効果トランジスタを内蔵 * 過電圧保護用の1.34Vリファレンス
* 1A ～ 5A 調整可能な電流 ILIMIT
* プログラム可能な OUT スルーレート、低電圧ロックアウト (UVLO)
* 内蔵サーマルシャットダウン
* 10 ピン DFN3*3 & ESOP8L
アプリケーション
• アダプタ給電デバイス
• ハードディスク ドライブ (HDD) およびソリッド ステート ドライブ (SSD)
• セットトップボックス
• サーバー/補助 (AUX) 電源
• ファン制御
• PCI/PCIe カード
注文情報
| 部品番号 | 説明 |
| MX25947D33 | DFN3*3-10L |
| MX25947ES | ESOP-8L |
| MPQ | 3000個 |
パッケージ損失 raティン
| パッケージ | RθJA (℃/W) |
| DFN3*3-10L | 50 |
| ESOP-8L | 60 |
絶対最大定格
| パラメータ | 価値 |
| VIN | -0.3～30V |
| VIN (10ms過渡) | 33V(最大) |
| 外 | -0.3 ～ VIN+0.3 |
| IOUT | 5A |
| ILIM、EN/UVLO、dVdT | -0.3V～7V |
| BFET | -0.3V～40V |
| ジャンクション温度 | 150℃ |
| 保管温度、Tstg | -55～150℃ |
| リード温度（はんだ付け、10秒） | 260℃ |
| ESD感受性 HBM | ±2000V |
絶対最大定格に記載されているストレスを超えると、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。絶対最大定格条件に長時間さらされると、信頼性に影響を与える可能性があります。 「推奨動作条件」セクションに示されている条件を超える条件でデバイスが機能的に動作することは保証されません。
推奨動作条件ション
| シンボル | 範囲 |
| VIN | 4.5V～24V |
| dVdT、EN/UVLO、OVP | 0V～6V |
| イリム | 0V～3V |
| IOUT | 0A～4A |
| 周囲温度 | -40～85℃ |
| 動作温度 | -40～125℃ |
ターミナル 課題
| 暗証番号 | 暗証番号名 | 説明 | |
| DFN3*3 | ESOP8 | ||
| 1 | 5 | DVD | デバイスのターンオン時の OUT のランプ レートを制御するには、このピンと GND の間にコンデンサを接続します。 |
|
2 |
6 |
英語/UVLO |
これはデュアル機能制御ピンです。 ENABLE ピンとして使用され、プルダウンされると、内部パス MOSFET が遮断されます。 UVLOピンとして、外部抵抗分割器を介して異なるUVLOトリップポイントをプログラムするために使用できます。 |
| 3~5 | 7 、8 | VIN | 入力電源電圧 |
| 6~8 | 1 、2 | 外 | デバイスの出力 |
| 9 | 3 | イリム | このピンと GND 間の抵抗により、過負荷と短絡の制限が設定されます。 |
| 10 | 4 | OVP | 抵抗分割器による外部過電圧保護。基準電圧は 1.34V (標準) です。 |
| サーマルパッド | GND | 地面 | |
電気的特性スティックス
(特に指定のない限り、VIN=12V、VEN/UVLO=2V、RILIM = 100kΩ、CdVdT = OPEN、TA=25℃)
| シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分 | 典型的。 | マックス | ユニット |
| VINピン | ||||||
| ヴボ | UVLO しきい値、上昇中 | 4.0 | 4.2 | 4.5 | V | |
| UVLO しきい値、低下 | 3.8 | 4.0 | 4.3 | V | ||
| アイコン | 供給電流 | 有効: EN/UVLO = 2V | 0.5 | 0.6 | 0.7 | ミリアンペア |
| IQOFF | EN/UVLO = 0V | 0.10 | 0.18 | 0.25 | ||
| 英語/UVLO | ||||||
| ヴェンル | JP しきい値電圧、上昇 | 1.30 | 1.34 | 1.38 | V | |
| ヴェンフ | JP しきい値電圧、立ち下がり | 1.25 | 1.30 | 1.35 | V | |
| IEN | JP 入力漏れ電流 | 0V ≤ VEN ≤ 5V | -100 | 0 | 100 | NA |
| DVD | ||||||
| IdVdT | dVdT 充電電流 | 0.2 | μA | |||
| RdVdT_disch | dVdT 放電抵抗 | 60 | 80 | 100 | Ω | |
| VdVdTmax | dVdT 最大コンデンサ電圧 | 5.5 | V | |||
| ゲインdVdT | dVdTからOUTへのゲイン | 4.85 | V/V | |||
| イリム | ||||||
| イリム | ILIM バイアス電流 | 0.5 | μA | |||
|
IOL |
過負荷電流制限 |
RILIM = 4.3kΩ、VVIN-OUT = 1V | 4.6 | 5 | 5.6 | あ |
| RILIM = 10kΩ、VVIN-OUT = 1V | 2.5 | 3.0 | 3.5 | あ | ||
| RILIM = 51kΩ、VVIN-OUT = 1V | 1.0 | 1.5 | 2.0 | あ | ||
| RILIM = 100kΩ、VVIN-OUT = 1V | 0.8 | 1.0 | 1.5 | あ | ||
| IOLR短い | 過負荷電流制限 | RILIM = 0Ω、短絡抵抗の電流制限 | 1.8 | あ | ||
| シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分 | 典型的。 | マックス | ユニット |
| IOL-R-オープン | 過負荷電流制限 | RILIM = OPEN、オープン抵抗の電流制限 | 1.6 | あ | ||
|
ISCL |
短絡電流制限 |
RILIM = 5kΩ、VVIN-OUT = 12V | 4.0 | 4.25 | 4.5 |
あ |
| RILIM = 10kΩ、VVIN-OUT = 12V | 2.76 | 2.88 | 3.0 | |||
| RILIM = 51kΩ、VVIN-OUT = 12V | 1.06 | 1.14 | 1.22 | |||
| RILIM = 100kΩ、VVIN-OUT = 12V | 0.86 | 0.94 | 1.0 | |||
| レシオファストリップ | 過負荷電流制限に対するファストトリップ コンパレータ レベル | イファストリップ：IOL | 160 | % | ||
| VOpenILIM | ILIM オープン抵抗検出閾値 | ヴィリム ライジング、リリム = オープン | 3.2 | V | ||
| RDS（オン） | FETオン抵抗 | 21 | 28 | 37 | mΩ | |
| IOUT-OFF-LKG | OUT オフ時のバイアス電流 | VEN/UVLO = 0V、VOUT = 0V (ソース) | 3 | μA | ||
| IOUT-オフシンク | VEN/UVLO = 0V、VOUT = 300mV (シンク) | 10 | μA | |||
| OVP | ||||||
| VREF_OVP | 外部ovp閾値 | OVP 上昇 | 1.30 | 1.34 | 1.38 | V |
| VOVPF | OVPヒステリシス | 1.25 | 1.30 | 1.35 | V | |
| TSD | ||||||
| TSHDN | TSD しきい値、上昇中 | 131 | ℃ | |||
| TSHDNヒスト | TSDヒステリシス | -15 | ℃ | |||
| タイミング要件 | ||||||
| トン | ターンオン遅延 | EN/UVLO → H ～ IIN = 100mA、OUT で 1A の抵抗負荷 | 900 | μs | ||
| tOFFdly | ターンオフ遅延 | 20 | μs | |||
| DVD | ||||||
| tdvdt |
出力ランプ時間 |
EN/UVLO → H→OUT = 11.7V、CdVdT = 0 | 1 | MS | ||
| EN/UVLO → H から OUT = 11.7V、CdVdT = 1nF | 10 | MS | ||||
| イリム | ||||||
| tFastOffDly | ファストトリップコンパレータ遅延 | IOUT > IFASTRIP ～ IOUT= 0 (スイッチオフ) | 350 | ns | ||