チーナンCrystrongの光電技術Co.、株式会社

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ダイオード レーザー-ポンプでくまれたソリッド ステート レーザーのための低いLasingの境界のマイクロチップ レーザー

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省/州:shandong
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ダイオード レーザー-ポンプでくまれたソリッド ステート レーザーのための低いLasingの境界のマイクロチップ レーザー

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原産地 :チーナン、中国
最低順序量 :1-5
支払の言葉 :網30日
供給の能力 :在庫あり
受渡し時間 :順序の量に 5-30 日
包装の細部 :、プラスチックの箱真空パックします、カートン
明確な開き :完全な開きの90%
開きの許容 :±0.1mm
角度許容 :≤± 0.25°
長さ :0.5-30mm
オリエンテーション :カット、Cカット
パッケージング :カートン包装
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ダイオードのための低いLasingの境界Nd YVO4はソリッド ステート レーザーをレーザー ポンプでくみました

 

製品の説明:

 

比較されたNd:807nmに集中するより広いバンドのYAGレーザーの水晶、5倍のより大きい吸収係数および好ましい機械特性はNdを作ります:密集した、有効な、高い発電のためにうってつけYVO4はレーザーをダイオード ポンプでくみました。

 

Ndの自然な複屈折:YVO4水晶は1064nm、1342nmおよび914nmで非常に分極された出力をもたらします。Nd:YVO4レーザーの水晶に機械化、材料加工、分光学、ウエファーの点検、ライト表示、医学の診断、レーザープリンターによる印刷、等を含むレーザー システムの広まった適用が、あります。

 

Nd:YVO4は中間レーザーの出力密度に低速のための現在のコマーシャル レーザーの水晶間で、特にポンプでくむ半導体レーザーのために適しています。半導体レーザーによってポンプでくまれる

 

 

特徴:

 

  • 808nmのまわりで帯域幅、Ndの約5回をポンプでくんで下さい:YAG
  • 1064 nmの誘導放出の横断面はNdの3回です:YAG
  • 微光の損傷閾値、高い斜面の効率
  • 単一の軸線の水晶、出力は直線に分極されます

 

  

 

指定:

 

平坦 633nmのλ/8
平行 ≤20 arcsec
表面質 20-10傷及び発掘(MIL-PRF-13830B)
Perpendicularity ≤5 arcmin
次元の許容 ±0.1mm
開きの許容 ±0.1mm
明確な開き 完全な開きの90%
小さな溝 ≤0.2 mmx45°
破片 ≤0.1mm

 

 

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