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Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

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MG1275S-BA1MM

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ IGBT IGBT モジュール

電流 - コレクター (Ic) (最大) :105 A

製品の状況 :時代遅れ

マウントタイプ :シャーシマウント

パッケージ :散装品

シリーズ :-

パッケージ/ケース :S-3 モジュール

VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :1.8V @ 15V,75A (タイプ)

電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :1200V

供給者のデバイスパッケージ :S3

Mfr :リトルファース

動作温度 :-40°C ~ 150°C (TJ)

電流 - コレクターの切断値 (最大) :500 µA

IGBTタイプ :-

パワー - マックス :630W

インプット :スタンダード

入力容量 (Cies) @ Vce :5.52 nF @ 25V

構成 :ハーフブリッジ

NTC サーミストール :ありません

記述 :IGBT モジュール 1200V 105A 630W S3

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IGBT モジュールハーフブリッジ 1200 V 105 A 630 W シャーシマウント S3

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