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Kailiyuan Electronic Technology (shenzhen) Co., Ltd.

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MG10P12P2

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ IGBT IGBT モジュール

電流 - コレクター (Ic) (最大) :10 A

製品の状況 :アクティブ

マウントタイプ :シャーシマウント

パッケージ :散装品

シリーズ :-

パッケージ/ケース :モジュール

VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic :2.25V @ 15V, 10A

電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :1200V

供給者のデバイスパッケージ :-

Mfr :ヤンジ・テクノロジー

動作温度 :-40°C ~ 150°C (TJ)

電流 - コレクターの切断値 (最大) :1mA

IGBTタイプ :-

パワー - マックス :105 W

インプット :三相橋整流器

入力容量 (Cies) @ Vce :1nF @ 25V

構成 :ブレーキが付いている三相インバーター

NTC サーミストール :はい

記述 :トランジスタ - IGBT - モジュールP2

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IGBT モジュール 3相インバーターブレーキ付き 1200 V 10 A 105 W シャーシマウント

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