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記述
バルク音波およびマイクロウェーブ装置および速いICのエピタキシアル基質のために広く利用されたマグネシウムのアルミン酸塩（MgAl2 O4かスピネル）単一のcrystalsare。MgAl2 O4は目に見える直通からの中間IRに優秀な伝達を要求するレンズです、および窓を含む光学の、電子および構造適用の広い範囲の使用のための魅力的な材料。理論的な伝達は非常に均一で、0.3から5ミクロンの間で87%に近づきます。伝達特徴は中間波IRのALONそしてサファイアのそれに対抗しま、それを現在および次世代IRイメージ投射システムの常に増加する性能要件のために特に魅力的にさせます。
MgAl2 O4がIII-Vの窒化物装置のためのよい基質であることがまた分られます。スピネル（MgAl2 O4）はGaNそのようなLDsの基質のための1人の候補者です。MgAl2O4の結晶学の構造はスピネル タイプ（Fd3m）であり、格子定数は8.083Aです。MgAl2O4はGaNの良質のフィルムの成長に首尾よく加えられた比較的低価格の基質材料です。MgAl2O4は（100つの）平面で裂かれます。GaN LDキャビティはMgAlを単に裂くことによってまたZnOのためによく働く（100つの）方向に沿う2つのO4の基質得られました。MgAl2O4の水晶は育ち非常ににくいです単一フェーズの構造の維持の難しさが原因で。
特徴
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よい光学の、化学および熱特性 |
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よい高温特性 |
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安定した物理的な性能 |
適用
| MgAl2 O4の基質 |
主要な指定
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材料 |
MgAl2O4 |
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オリエンテーション |
[100]または[100]または[111] < ±0.5° |
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平行 |
10 |
|
垂直 |
5 |
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表面質 |
10/5 |
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波頭のゆがみ |
/4 @632nm |
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表面の平坦 |
/8 @632nm |
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明確な開き |
>95% |
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小さな溝 |
<0.1×45° |
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厚さ/直径の許容 |
±0.05 mm |
|
最高次元 |
dia 50×100mm |
|
コーティング |
AR/AR@940+1030HR @ 1030+HT@940+AR1030 |
材料特性
身体検査およびchemicalcharacteristics
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化学式 |
MgAl2 O4 |
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結晶構造 |
立方:m3m |
|
格子変数、 |
a = 8.083 |
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融点（℃） |
2130°C |
|
密度、g/cm3 |
3.61 g/cm3 |
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伝送範囲 |
0.215.3 m |
|
R.i. |
1.8245 @0.8 m、 |
|
Mohsの硬度 |
8 |
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25°Cの熱伝導性、Wxcm-1のxK-1 |
14.0との（mK） |
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熱拡張係数 |
7.45×10-6/K |
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位相速度 |
6500 m/s （の100）横波 |
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伝播の損失 |
6.5 dB/ms |
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比熱 |
0.59 W.s/g/K |
標準的なプロダクト
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オリエンテーション |
終わり構成、nm |
厚さ、nm |
R.i. |
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[1 0 0] |
5×5 |
0.5 |
1.8245@0.8 m |
|
[1 1 0] |
|||
|
[1 1 1] |
|||
|
[1 0 0] |
1 |
||
|
[1 1 0] |
|||
|
[1 1 1] |
|||
|
[1 0 0] |