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13 年
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一点小さい波のはんだ付けするノズル白く選択的なはんだ付けする機械
適用:溶接PCBの部品
| 点およびシーム溶接 | レーザーの沈殿物の溶接 |
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| 走査器の溶接 | 管およびプロフィールの溶接 |
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工作物または処理の頭部の動きによる時間の損失無し |
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プロダクト変数
| 入口名 | 技術的な変数 |
| 機械モデル | CWLS-S |
| 総力 | 5KW |
| 力 | 単一フェーズ220V 50HZ |
| 錫タンク容量 | 15kgs/furnace |
| 溶ける時間 | 20-30分 |
| 錫の溝力 | 1.2KW |
| 小さい波のはんだ付けするノズル | 注文の形 |
| サイズ | L850*W1100*H1340mm |
| 重量 | 200KG |
慣習的なはんだ付けする技術彼等の限界に達するために一方、
レーザーのはんだ付けすることは頻繁に選択的なレーザーのはんだ付けすることとして適用される。限界に達するために選択的なはんだ付けするプロセスが適用で他の慣習的で選択的なはんだ付けする技術使用される。これらの限界はtemperature-sensitive部品によって例えば定義することができる。レーザ光線を通した熱そしてエネルギーの移動は小組立部品または敏感な部品の小型化に眺めの多くの利点をユーザーに、特に与える。
はんだ付けするプロセスの間に、溶加材か合金はレーザーによって溶ける温度< 450°Cに熱される。従ってワイヤー材料、はんだ付けするのりまたははんだの沈殿物を溶かすのに2つの密接に合われた結合材料の間に流れるようにより低い出力力（普通< 100ワット）のレーザーが使用されている。
半導体内の小さい部分か部品を、電子か光電子工学装置製造するか、またはアセンブリ企業ははんだ付けするために、ダイオード レーザー右の選択である。ダイオードのレーザーは選択的なはんだ付けすることのためにレーザー力がアナログ信号によって正確に制御することができ、材料への入熱が非常に集中するので使用される。そういうわけでレーザーのはんだ付けすることは最も有利、従来のはんだ付けする方法と比較されてである。プロセスは近くの部品に損傷か入力熱。そういうわけでミリメートルの少数のtenthsの範囲の非常に小さい電子部品、また感熱電子部品は処理することができる。
熱損傷を最小にするために無接触温度の測定と結合される速い力の可制御性はダイオード レーザーにこの適用のための理想的な用具をする。
慣習的で選択的なはんだ付けする技術は、例えばはんだごてのような、はんだ付けする用具とはんだの接合箇所間の直接機械接触を必要とする、またははんだ付けする用具ははんだの接合箇所に非常に近くなければならない。しかし、多くの場合、これはスペースの欠乏が可能ではない原因ではない。なお、慣習的で選択的なはんだ付けするプロセスの中では、入熱はないまたは非常にゆっくりはんだ付けするプロセスの間に影響を及ぼされる。
