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Φ7mmの通りの光量制御のための軽い依存した抵抗器センサーLDR
記述:
写真の抵抗器、別名ライト依存した抵抗器(LDR)は、最も頻繁に使用される感光型装置ライトの存在か不在を示すか、または輝度を測定するためにです。暗闇では、抵抗は輝度によって少数のオームに1MΩ、LDRセンサーがライト--にさらされるとき、抵抗まで非常に高いです、時々劇的に落ちます、が。LDRsに加えられるライトの波長と変わるあり、非線形装置です感受性が。それらは多くの適用で使用されますが、時々フォトダイオードおよびフォトトランジスターのような他の装置によって時代遅れになされます。一部の国は環境の安全心配上の鉛かカドミウムから成っているLDRsを禁止しました。
LDRセンサーは半導体材料の作った、導電率は光の変化と変わります抵抗器であり。LDRセンサーはこの特徴に基づいて異なった図および照らされた区域と製造することができます。LDRセンサーはおもちゃ、ランプ、カメラ、等のような多くの企業で広く利用されています。
指定:
| 変数/タイプ | GL7516 | GL7526 | GL7537-1 | GL7537-2 | GL7539 |
| 最高。電圧（VDC） | 150 | ||||
| 最高。力（MW） | 100 | 150 | |||
| スペクトルのピーク値（nm） | 540 | 560 | |||
| 軽い抵抗 | 5~10 | 10~20 | 20~30 | 30~50 | 50~100 |
| 暗い抵抗 | 0.5 | 1 | 2 | 4 | 8 |
| Y100 10 | 0.6 | 0.6 | 0.7 | 0.8 | 0.8 |
| 応答時間（増加） | 30 | ||||
| 応答時間（減少） | 30 | ||||
働き主義:
すなわち落ちるとき光子がLDRで落ちるときライトがLDRで、原子価バンド電子は伝導帯に興奮する得るために十分なエネルギーを得ます。事件の光子は半導体の禁止されたエネルギー ギャップより大きいエネルギーがなければなりません。十分なエネルギーを持っているライトが装置で落ちる場合、より多くの電子は伝導帯に興奮する得ます。自由な電子の数が増加するように、回路を通る現在の流れ。それ故にライトがLDRで落ちるので、抵抗は減ることが言われます。
適用:
軽い依存した抵抗器のための多くの適用があります。これらは下記のものを含んでいます:
• スイッチ
LDRのための最も明らかな適用は自動的にある特定の光源レベルでライトをつけることです。これの例は街灯または庭ライトであることができます。
•カメラのシャッター制御
LDRsがカメラのシャッター速度を制御するのに使用することができます。LDRが適切なレベルにカメラのシャッターの速度を合わせる輝度を測定するのに使用されます。
テスト条件:
•軽い抵抗:2時間400-600Luxライトによって照射されて、それから標準光源Aの下で10Luxとテストして下さい（色温度2856Kとして）
•暗い抵抗:10Luxライトが締まっていた10秒後抵抗を参照して下さい。
•γの価値:10ルクス以下の標準抵抗の価値および100Luxの下の価値の比率のロガリズム。
•R10、R100は10Luxおよび100Luxの下にrespectiverly抵抗です。
•最高。パワー消費量:環境の温度25℃の最高力。
•最高。外的な電圧:絶えず暗闇の部品に与えられるべき最高の電圧。
次元:（mm）
温度特性:
スペクトルの応答特性: