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製品名:STL3N65M2 | |
製造業者:STMicroelectronics | 製品カテゴリ:MOSFET |
技術:Si | 設置様式:SMD/SMT |
パッケージ/場合:PowerFLAT 3.3x3.3 HV8 | トランジスター極性:N-Channel |
チャネルの数:1つのチャネル | Vds下水管源の絶縁破壊電圧:650ボルト |
ID連続的な下水管の流れ:2.3 A | 抵抗のRdsのオン下水管の源:1.6オーム |
Vgs -ゲート源の電圧:- 25ボルト、+ 25ボルト | VgsのThゲート源の境界の電圧:2ボルト |
Qgゲート充満:5 NC | 最低の実用温度:- 55 C |
最高使用可能温度:+ 150 C | Pd力の消滅:22 W |
チャネル モード:強化 | 銘柄:MDmesh |
パッケージ:巻き枠 | パッケージ:テープを切りなさい |
パッケージ:MouseReel | ブランド:STMicroelectronics |
構成:単一 | 落下時間:21.5 ns |
製品タイプ:MOSFET | 上昇時間:3.4 ns |
シリーズ:STL3N65M2 | 工場パッキングの量:3000 |
下位範疇:MOSFETs | トランジスター タイプ:1つのN-Channel |
典型的なturn-off遅れ時間:17 ns | 典型的なturn-on遅れ時間:6 ns |
単位重量:20 mg | 単位重量:20 mg |