3DD13005先端力トランジスターはエミッターの基盤電圧9V高性能を転換する
原産地:シンセン中国
最低順序量:1000-2000のPCS
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2週
支払の言葉:L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
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内 22 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
TO-263-3Lはプラスチック内部に閉じ込めるトランジスター3DD13005トランジスター（NPN）を
特徴
力の転換の適用
最高の評価（通知がなければTa =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | Collector-Base電圧 | 700 | V |
| VCEO | Collector-Emitter電圧 | 400 | V |
| VEBO | Emitter-Base電圧 | 9 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | 1.5 | |
| PC | コレクターの消滅 | 1.25 | W |
| TJ、Tstg | 接続点および保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 |
| Collector-baseの絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | Ic= 1mA、IE=0 | 700 | V | ||
| Collector-emitterの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | Ic= 10 mA、IB=0 | 400 | V | ||
| Emitter-base絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | IE = 1mA、IC =0 | 9 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB = 700V、IE =0 | 1 | mA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE = 400V、IB =0 | 0.5 | mA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB = 9ボルト、IC =0 | 1 | mA | ||
DCの現在の利益 | hFE （1） | VCE = 5ボルト、IC = 0.5 A | 8 | 40 | ||
| hFE （2） | VCE = 5ボルト、IC = 1.5A | 5 | ||||
| Collector-emitterの飽和電圧 | VCE （坐った） | IC=1A、IB= 250 mA | 0.6 | V | ||
| Base-emitterの飽和電圧 | VBE （坐った） | IC=1A、IB= 250mA | 1.2 | V | ||
| Base-emitterの電圧 | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
転移の頻度 |
fT | VCE =10V、Ic=100mA f =1MHz |
5 |
MHz | ||
| 落下時間 | tf | IC =1A、IB1 =-IB2=0.2A VCC=100V | 0.5 | µs | ||
| 貯蔵時間 | TS | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
hFE1の分類
| ランク | |||||||
| 範囲 | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
TSの分類
| ランク | A1 | A2 | B1 | B2 |
| 範囲 | 2-2.5 （μs） | 2.5-3 （μs） | 3-3.5 （μs） | 3.5-4 （μs） |
TO-92パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| Min. | 最高。 | Min. | 最高。 | |
| 4.470 | 4.670 | 0.176 | 0.184 | |
| A1 | 0.000 | 0.150 | 0.000 | 0.006 |
| B | 1.120 | 1.420 | 0.044 | 0.056 |
| b | 0.710 | 0.910 | 0.028 | 0.036 |
| b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
| c | 0.310 | 0.530 | 0.012 | 0.021 |
| c1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
| D | 10.010 | 10.310 | 0.394 | 0.406 |
| E | 8.500 | 8.900 | 0.335 | 0.350 |
| e | 2.540タイプ。 | 0.100のタイプ。 | ||
| e1 | 4.980 | 5.180 | 0.196 | 0.204 |
| L | 14.940 | 15.500 | 0.588 | 0.610 |
| L1 | 4.950 | 5.450 | 0.195 | 0.215 |
| L2 | 2.340 | 2.740 | 0.092 | 0.108 |
| Φ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| V | 5.600参考。 | 0.220参考。 | ||
3DD13005先端力トランジスターはエミッターの基盤電圧9V高性能を転換する
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