トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者
型式番号:1503C1
原産地:シンセン中国
最低順序量:交渉
支払の言葉:L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
受渡し時間:1 - 2週
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 22 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者
高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴
力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、PおよびN –層にN+の基質に装置表面から突き通るために力MOSFETの形ほとんどある切られる。N+の層は低い抵抗材料との重く添加された層であり、N-の層は抗力が高い地域の軽く添加された層である。
高圧Mosfetのトランジスター特徴の記述
30V/34A
R DS （） = 7.1mΩ （タイプ。） @V GS = 10V
@V RのDSの（） = 10.0のmΩ （タイプ。）のGS = 4.5V
100%のなだれはテストした
信頼でき、険しい
自由なハロゲンおよび利用できる緑装置
（迎合的なRoHS）
高圧Mosfetのトランジスター塗布
転換の適用
DC/DCのための力管理
電池の保護
命令し、示す情報
C1
1503
YYXXXJWW
パッケージ コード
C1:DFN3*3-8L
日付コード
YYXXX WW
注:HUAYIの無鉛プロダクトは付加材料および100%の無光沢のブリキ板Termi-死ぬために形成の混合物/含んでいる
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に超過するために会うか、または要求する
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義する
「緑」無鉛（迎合的なRoHS）および自由のハロゲンを意味するため（BrかCLは重量900ppmを超過しない
BrおよびCLの同質な材料そして合計は重量1500ppmを超過しない）。
HUAYIはこのpr-への変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保する
この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。
絶対最高評価
典型的なオペレーティング特性
トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者
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