高い現在のMosfet力トランジスター二重Nタイプ高性能
原産地:シンセン中国
最低順序量:1000-2000のPCS
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2週
支払の言葉:L/C T/T ウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 22 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
HXY4812 0Vの二重N-Channel MOSFET
概説
HXY4812は高度の堀の技術をに使用する
優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供しなさい。これ
装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適している
適用。
プロダクト概要
通知がなければ絶対最高評価T =25°C
電気特徴（通知がなければT =25°C）
A.RθJAの価値は2ozの1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定される。TA =25°C.の静かな空気環境の銅。
ある特定の適用の価値はユーザーの特定の板設計によって決まる。
B.電力損失PDはTJ （MAX）に≤ 10sの接続点に包囲された熱抵抗を使用して=150°C、基づいている。
C. Repetitiveのの評価、接合部温度TJ （MAX） =150°C.の評価によって限られる低頻度および使用率に保つために脈拍幅は基づいている
D.RθJAはRθJLを導き、包囲されたに導くべき接続点からの熱インピーダンスの合計である。
E.図1に6の静特性はを使用して得られる <300>
高い現在のMosfet力トランジスター二重Nタイプ高性能
お問い合わせカート
0