平らなサファイアの半導体、透明な2インチDSPのウエファー

平らなサファイアの半導体

平面のサファイアは何であるか。

軸線に垂直であるC軸線を含んでいる平面。平面のサファイアのオリエンテーションは光電子工学の適用で広く利用されている。

研究者がいかにか平面のサファイアの基質を使用するためにか。

研究者によって化学気相堆積（CVD）が平面のサファイアのAlGaNのepi-layersを育てるのに使用されていた。そしてMoS2をより有効な電子デバイスを作るために育てるため。

ReseachersはCVDプロセスを使用して多結晶性ダイヤモンドの薄膜を育てるのに平面のサファイアを使用した。

平面のサファイアのSingle-Crystalサファイアのイオン ビームの製粉

材料（MRR）の取り外し率は材料が表面から取除かれる速度である。材料が取除かれた後表面の粗さ（Sa）はいかに荒い表面があるかである。平面のサファイアのMRRはC平面およびM平面のサファイアのそれよりわずかに高い。他愛ない嘘の処置が3つの水晶オリエンテーション間の最も小さかった後平面のサファイアのSa。これらの結果は平面のサファイアがC平面およびM平面のサファイアと比較される他愛ない嘘の製粉の間のより容易な材料の取り外しを可能にすることを意味する。さらに、他愛ない嘘の製粉の後の平面のサファイアの表面質はC平面およびM平面のサファイアのそれよりよい。理論的な計算の結果は平面のサファイアの一番外の表面の1正方形のナノメーターあたりアルミニウム イオンそして酸素イオンの取り外しエネルギーが最も小さいことを示す。これはまた材料がC平面およびM平面のサファイアの表面より平面のサファイアの表面から他愛ない嘘の製粉ことをによって容易に取除かれることを意味する。

重慶Silianの光電子工学科学及び技術Co.、株式会社は中国Silianの器械のグループCo.、LEDの企業の開発のための株式会社創設された。ハネウェル社のサファイア ビジネスの獲得に、会社世界の最上質の大型のサファイアの生産およびR & Dの機能のなった中国の最初企業があった後。会社は世界の一流の強力なサファイアの基質の技術がある。優秀な機会を取って、会社はLEDの産業鎖のプロジェクト延長に引き続いてLEDの包装、LEDの照明適用および他の企業を開発した。サファイアの基質の中心技術に基づいて、私達は基本原料からの上限プロダクトにLEDの産業陶磁器を開発し、中国西部のdustrial基盤でエネルギー効率が良い最も完了され、最も大きい半導体になるために1000 muの区域を（およそ66.7のヘクタール）の作成した。

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