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2.0mmはDDR3、DDR4のLPDDR5ソケット インターポーザーPCBsの4-2-4層積み重なる
DDR4の実施を用いるPCBの建築の進歩
先に述べたように、コンピュータ技術の分野の景色は一定した変化にある。新しい標準必要性はの手始めによって装置建築の変更のための来る。その声明はDDR3からDDR4に世代の標準に演説するとき均等に本当変わるである。
RAMメモリのこれらの進歩はまた全面的な性能の約顕著な増加を持って来る。従って、最も新しいRAMを利用できることはPCBの設計の変更を要求する。USBのための標準がUSB 2.0からUSBから3.0を進めた時ちょうどそれがしたように。これらのタイプの変更は連続的であり、機能性の処理パワー、よりよい性能およびハイ レベルに要求として必要、企業の進歩を運転し続けなさい。
ほとんどの人々がPCBの設計によって必要な必要な建築変更を気づかないし、見ないがそれはこれらの重大な変更の重要性を減少しない。
2 . 指定:
名前 | 2.0mm DDR3のDDR4インターポーザーPCBs |
層の数 | 4-2-4層 |
質等級 | IPC 6012のクラス2のIPC 6012のクラス3 |
材料 | 無鉛材料 |
厚さ | 2.0mm |
最低トラック/間隔 | 3/3mil |
最低の穴のサイズ | 0.075mmレーザーの訓練 |
はんだのマスク | 緑 |
シルクスクリーン | 白い |
表面の終わり | 液浸の金 |
終了する銅 | 1OZ |
調達期間 | 28-35日 |
速い回転サービス | はい |
DDR4実施のために必要とされるPCBのレイアウトの変更は何であるか。
DDR4か二重データ転送速度4は2つの明瞭なモジュールのタイプ入って来。So-DIMMか小さい輪郭のラップトップのような携帯用計算装置で使用中である二重インライン記憶モジュール(260ピン)。他のモジュールのタイプは卓上およびサーバーのような装置で使用中である二重インライン記憶モジュール(288ピン)またはDIMMである。
従って、建築の最初の変更は、当然、ピン・カウントが原因である。前の繰り返し(DDR3)はDIMMのために240ピンおよびSo-DIMMのために204ピンを使用する。前に述べられて、DDR4 DIMMの適用のために288ピンを使用する一方。ピンまたは接触の増加によって、DDR4は出力効率のより高いDIMM容量、高められたデータ保全、より速いダウンロードの速度および増加を提供する。
性能のこの全面的な改善に伴うことはまたよりよい可能にする曲げられた設計である(底は取付けの間に)、より安全な付属品およびそれを安定性および強さを改善する。また、DDR4は性能の50%の増加を提供し、3,200までMTs (毎秒にメガ移動)達成できることを確認するベンチチェックがある。
なお、それはより少ない力の使用にもかかわらず性能のこれらの増加を達成する;前任者の1.35ボルトの条件への1.5の代りの1.2ボルト(DIMMごとに)。これらの変更すべてはPCBデザイナーがDDR4の実施のための彼らの設計アプローチを再査定しなければならないことを意味する。