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HDIは高密度Interconnectorを意味する。それは一種の回路を作り出すのにマイクロ盲目の埋められた穴の技術を使用するプリント基板である
Interconnector高密度PCB
高い回路の配分密度の板。HDIは小さい容積のユーザーのために設計されている密集したプロダクトである。
HDI回路の利点
1. PCBのコストを削減しなさい:8つ以上の層へのPCB密度の増加が、HDIの製造業の費用従来の複雑な押すプロセスより低い時。
2. 回路密度を増加しなさい:従来のサーキット ボードおよび部品の相互連結
3. それは高度の構造の技術の使用を促す
4. 電気性能および信号の正しさをよくしなさい
5. よりよい信頼性
6. 熱特性を改良できる
7. rfの干渉/電磁妨害雑音/静電気解放(RFI/EMI/ESD)を改良できる
8. 設計効率を高めなさい
項目 | HDIの先端技術 | |||
2019年 | 2020年 | 2021年 | ||
構造 | 5+n+5 | 6+n+6 | 7+n+7 | |
HDIはを経て積み重なる | AnyLayer (12L) | AnyLayer (14L) | AnyLayer (16L) | |
板厚さ(mm) | Min. 8L | 0.45 | 0.4 | 0.35 |
Min. 10L | 0.55 | 0.45 | 0.4 | |
Min. 12L | 0.65 | 0.6 | 0.55 | |
MAX. | 2.4 | |||
Min. Core Thickness (um) | 50 | 40 | 40 | |
Min. PP Thickness (um) | 30 (#1027PP) | 25 (#1017PP) | 20 (#1010PP) | |
基礎銅の厚さ | 内部の層(OZ) | 1/3 | 2 | 1/3 | 2 | 1/3 | 2 |
外の層(OZ) | 1/3 | 1 | 1/3 | 1 | 1/3 | 1 | |
項目 | HDIの先端技術 | |||
2019年 | 2020年 | 2021年 | ||
Min. Mechanicalドリル孔のサイズ(um) ** | 200 | 200 | 150 | |
最高。穴のアスペクト レシオによって* | 8:1 | 10:1 | 10:1 | |
Min. Laserを経て/パッドは大きさで分類する(um) | 75/200 | 70/170 | 60/150 | |
最高。アスペクト レシオによるレーザー | 0.8:1 | 0.8:1 | 0.8:1 | |
PTH (VOP)の設計のによるレーザー | はい | はい | はい | |
穴(DT≤200um)を通したレーザーXのタイプ | NA | 60~100um | 60~100um | |
Min. LW/S (L/S/Cu、um) | 内部の層 | 45 /45 /15 | 40/ 40/15 | 30/ 30 /15 |
外の層 | 50 /50/ 20 | 40 /50 /20 | 40 /40 /17 | |
最低BGAピッチ(mm) | 0.35 | 0.3 | 0.3 | |
項目 | HDIの先端技術 | |||
2019年 | 2020年 | 2021年 | ||
はんだのマスク登録(um) | +/- 30 | +/- 25 | +/- 20 | |
Min. Solder Maskダム(mm) | 0.07 | 0.06 | 0.05 | |
PCBのそり制御 | >= 50ohm | +/-10% | +/-8% | +/- 5% |
< 50ohm=""> | +/- 5ohm | +/- 3ohm | +/- 3ohm | |
PCBのそり制御 | ≤0.5% | ≤0.5% | ≤0.5% | |
キャビティ深さの正確さ(um) | 機械 | +/- 75 | +/- 75 | +/- 50 |
直接レーザー | +/- 50 | +/- 50 | +/- 50 | |
表面の仕上げ | OSP、ENIGの液浸の錫、堅いAu、液浸Ag | OSP、ENIGの液浸の錫、堅いAu、液浸Ag、ENEPIG |
包装及び配達 | |||||
包装の細部: | 内部:真空のパッキングか帯電防止パッケージ、 外:輸出カートン または顧客の要求に従って。 | ||||
港: | シンセンか香港 | ||||
調達期間: | 量(部分) | 1-10 | 11-100 | 101-1000 | >1000 |
米国東部標準時刻.時間(幾日) | 20 | 21 | 25 | 交渉されるため |
FAQ:
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