AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2B-T Adestoの技術フラッシュ・メモリICの部品

AT45DB641E-SHN2B-T Adestoの技術フラッシュ・メモリICの部品

AT45DB641E-SHN2B-T ICのフラッシュ・メモリIC 64Mb （256のバイトx 32Kのページ） SPI 85 MHz 8-SOIC

64-Mbit DataFlash （余分2-Mbitsと）、1.7V最低SPIの連続フラッシュ・メモリ

AT45DB641E-MHN2B-T ICのフラッシュ64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN

フラッシュ64 Mbit、広くVcc （1.7Vへの3.6V）、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、DFN 5x6 （テープ及び巻き枠）、単一SPI DataFlash

AT45DB641Eの記述:

AT45DB641Eは理想的にいろいろデジタル音声に、イメージ適する、1.7V最低、連続インターフェイス順次アクセスフラッシュ・メモリ プログラム コードおよびデータ記憶の適用である。AT45DB641Eはまた非常に高速操作を要求する適用のための急流のシリアル・インタフェースを支える。記憶のその69,206,016ビットは256バイトまたは264バイトそれぞれの32,768ページとして組織される。主記憶操置に加えて、AT45DB641Eはまたバイト256/264のの2つのSRAMの緩衝をそれぞれ含んでいる。両方の緩衝の間で入れ込むことは計量値の流れを書くシステムの能力を劇的増加できる。さらに、SRAMの緩衝は付加的なシステム スクラッチ・パッドの記憶として使用しE2PROMの模範化ははめ込み式スリー ステップと（ビットまたはバイトのalterability）読書変更書く操作を容易に扱うことができる。複数アドレスラインおよびパラレル インターフェイスと任意にアクセスされる慣習的なフラッシュ・メモリとは違って、DataFlash®はデータをシーケンシャル アクセスのにシリアル・インタフェースを使用する。簡単な順次アクセスは劇的に活動的なピン・カウントを減らし、簡単だったハードウェア レイアウトを促進し、装置の信頼度を高め、転換の騒音を最小にし、そしてパッケージのサイズを減らす。装置は多くの商業および産業適用の使用のために、低電圧低ピン計算高密度ところで最大限に活用されローパワー必要でであって下さい。簡単な内部システム再プログラム可能性を可能にするためには、AT45DB641Eはプログラミングのために高い入力電圧が要求しない。装置は単一1.7Vから消去およびプログラムのための3.6V電源に作動し、読込み操作を。AT45DB641Eは破片選り抜きピン（CS）を通して可能になり、連続入力（SI）、連続出力（そう）、および連続時計から成っている3-wireインターフェイスによってアクセスされる

特徴:

単一1.7V - 3.6V供給

連続周辺機器インターフェイス（SPI）の多用性があるはSPIモード0および3を支える

サポートRapidS™操作

全体の配列による連続的な読まれた機能

15MHzまでの85MHzのローパワー読まれた選択まで

8ns最高の時計に出力時間（TV）

ユーザーの構成可能のページ サイズ

ページごとの256バイト

ページ（デフォルト）ごとの264バイト

ページ サイズは256バイトのために前もって構成される工場である場合もある

2つの完全に独立したSRAMのデータ バッファ（バイト256/264の）

主記憶操置配列をプログラムし直している間データを受け取るAllows

適用範囲が広いプログラミングの選択

主記憶操置へのバイト/ページ プログラム（1にバイト256/264の）直接

緩衝は書く|主記憶操置ページ プログラムへの緩衝

適用範囲が広い消去の選択のページの消去（バイト256/264の）

ブロックの消去（2KB）ののセクターの消去（256KB）のの破片の消去（64-Mbits）

プログラムおよび消去は中断したり/概要

高度ハードウェアおよびソフトウェア データ保護の特徴

個々のセクターの保護のセクターを永久に読み取り専用にする個々のセクターのロック式

128バイト、一度だけのプログラム可能な（OTP）保証記録

単一識別子とプログラムされる64バイトの工場

64バイトのユーザーのプログラム可能なハードウェアおよびソフトウェアはリセット制御機構選択を

JEDEC標準的な製造業者および装置IDは読んだ

ローパワー消滅

400nA Ultra-Deepパワー現在（典型的）

5µA深いパワー現在（典型的）

25µAスタンバイの現在（典型的）

7mA能動態は現在を読んだ（典型的）

持久力:ページの最低ごとの100,000のプログラム/消去周期

データ保持:20年

完全な産業温度較差に従う

緑（迎合的なPb/Halide-free/RoHS）の包装の選択

8鉛SOIC （0.208"広く）のの8パッド極めて薄いDFN （5 x 6 x 0.6mm）

8パッド非常薄いDFN （6 x 8 x 1.0mm）

44ボールのdBGA （6 x 8変更された球の配列）

Adestoの技術フラッシュ・メモリの集積回路ICの指定:

同じようなダイアログの半導体の集積回路IC Adestoの技術:

AT45DB641E、AT45DB641E-SHN2B-T、AT45DB641E-MHN2B-T、AT45DB641E-MWHN2B-T、AT45DB641E-UUN2B-T、AT45DB641E-SHN-B、AT45DB641E-SHN-T、AT45DB641E-MHN-Y、AT45DB641E-MHN-T、AT45DB641E-MWHN-Y、AT45DB641E-MWHN-T、AT45DB641E-UUN-T、45DB641E-SHN2B-BのAT45DB641E-DWF、

より普及した集積回路ICの部品番号:

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