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腕のマイクロ制御回路- MCU 120MHZ 256KBのフラッシュ4 8 QFN
IC MCU 32BIT 256KBのフラッシュ48QFN
ARM® Cortex®-M4Fシリーズ マイクロ制御回路IC 32ビット単心120MHz 256KB (256K X 8)抜け目がない48-QFN (7x7)
ATSAMD51G18A-MUの指定:
部門 | 集積回路(IC) |
埋め込まれる-マイクロ制御回路 | |
Mfr | マイクロチップ・テクノロジー |
シリーズ | SAM D51 |
パッケージ | 皿 |
プロダクト状態 | 活動的 |
中心プロセッサ | ARM® Cortex®-M4F |
コア サイズ | 32ビット単心 |
速度 | 120MHz |
結合性 | EBI/EMIのIの² C、IrDA、LINbus、MMC/SD、QSPI、SPI、UART/USART、USB |
ペリフェラル | 節電は、DMAのIの² S、POR、PWM検出したり/調整 |
入力/出力の数 | 37 |
プログラム記憶容量 | 256KB (256K X 8) |
プログラム記憶タイプ | フラッシュ |
EEPROMのサイズ | - |
RAMのサイズ | 128K X 8 |
電圧-供給(Vcc/Vdd) | 1.71V | 3.63V |
データ変換装置 | A/D 20x12b;D/A 2x12b |
発振器のタイプ | 内部 |
実用温度 | -40°C | 85°C (TA) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | 48-VFQFNはパッドを露出した |
製造者装置パッケージ | 48-QFN (7x7) |
基礎プロダクト数 | ATSAMD51 |
特徴:
作動条件:
•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+125°C、100つのMHzへのDC
•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+105°C、120のMHzへのDC
•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+85°C、120のMHzへのDC
中心:120のMHzの腕の皮質M4
•120のMHzの403 CoreMark®
•4 KBは指示の隠し場所およびデータ隠し場所を結合した
•8地帯の記憶保護の単位(MPU)
•Thumb®-2命令セット
•指示の跡の流れが付いている埋め込まれた跡モジュール(ETM)
•中心の視力によって埋め込まれる跡の緩衝(ETB)
•跡の港インターフェイス単位(TPIU)
•浮動小数点の単位(FPU)
記憶
•1番のMB/512 KB/256 KB内部システム自己プログラム可能な抜け目がない下記のものの:
–エラー修正 コード(ECC)
–二重銀行はとの(RWW)サポートを読書間書く
– EEPROMハードウェア模範化(SmartEEPROM)
•128 KB、KB SRAM主記憶操置192 KB、256
– 64 KB、96 KB、エラー修正 コード(ECC) RAMの選択の128 KB
•緊密結合記憶(TCM)のまで4 KB
•8 KBまで付加的なSRAM
–バックアップ モードで保つことができる
•8つの32ビット バックアップ記録
システム
•パワー調整(POR)および節電の検出(BOD)
•内部および外的な時計の選択
•外部割込み機構のコントローラー(EIC)
•16の外部割込み機構
•1つのマスク不能割り込み
•2ピン連続ワイヤーは(SWD)プログラミング、テストを、およびデバッギング インターフェイス デバッグする
電源
•、スタンバイ遊んでいる、休眠モードを離れてバックアップ冬眠すれば
•夢遊ペリフェラル
•バッテリー・バックアップ サポート
•忙しい選択を支える埋め込まれたBuck/LDOの調整装置
環境及び輸出分類
属性 | 記述 |
---|---|
RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
湿気感受性のレベル(MSL) | 3 (168時間) |
範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |