ATSAMD51G18A-MUのマイクロチップIC MCU 32BIT 256KBのフラッシュ48VQFNの集積回路

型式番号:ATSAMD51G18A-MU
原産地:タイ
最低順序量:100Pieces
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:10000PCS
受渡し時間:標準的
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ATSAMD51G18A-MUのマイクロチップIC MCU 32BIT 256KBのフラッシュ48VQFNの集積回路

腕のマイクロ制御回路- MCU 120MHZ 256KBのフラッシュ4 8 QFN

IC MCU 32BIT 256KBのフラッシュ48QFN

ARM® Cortex®-M4Fシリーズ マイクロ制御回路IC 32ビット単心120MHz 256KB (256K X 8)抜け目がない48-QFN (7x7)


ATSAMD51G18A-MUの指定:

部門
集積回路(IC)
 
埋め込まれる-マイクロ制御回路
Mfr
マイクロチップ・テクノロジー
シリーズ
SAM D51
パッケージ
プロダクト状態
活動的
中心プロセッサ
ARM® Cortex®-M4F
コア サイズ
32ビット単心
速度
120MHz
結合性
EBI/EMIのIの² C、IrDA、LINbus、MMC/SD、QSPI、SPI、UART/USART、USB
ペリフェラル
節電は、DMAのIの² S、POR、PWM検出したり/調整
入力/出力の数
37
プログラム記憶容量
256KB (256K X 8)
プログラム記憶タイプ
フラッシュ
EEPROMのサイズ
-
RAMのサイズ
128K X 8
電圧-供給(Vcc/Vdd)
1.71V | 3.63V
データ変換装置
A/D 20x12b;D/A 2x12b
発振器のタイプ
内部
実用温度
-40°C | 85°C (TA)
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
48-VFQFNはパッドを露出した
製造者装置パッケージ
48-QFN (7x7)
基礎プロダクト数
ATSAMD51

特徴:

作動条件:

•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+125°C、100つのMHzへのDC

•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+105°C、120のMHzへのDC

•1.71Vへの3.63V、-40°Cへの+85°C、120のMHzへのDC


中心:120のMHzの腕の皮質M4

•120のMHzの403 CoreMark®

•4 KBは指示の隠し場所およびデータ隠し場所を結合した

•8地帯の記憶保護の単位(MPU)

•Thumb®-2命令セット

•指示の跡の流れが付いている埋め込まれた跡モジュール(ETM)

•中心の視力によって埋め込まれる跡の緩衝(ETB)

•跡の港インターフェイス単位(TPIU)

•浮動小数点の単位(FPU)


記憶

•1番のMB/512 KB/256 KB内部システム自己プログラム可能な抜け目がない下記のものの:

–エラー修正 コード(ECC)

–二重銀行はとの(RWW)サポートを読書間書く

– EEPROMハードウェア模範化(SmartEEPROM)

•128 KB、KB SRAM主記憶操置192 KB、256

– 64 KB、96 KB、エラー修正 コード(ECC) RAMの選択の128 KB

•緊密結合記憶(TCM)のまで4 KB

•8 KBまで付加的なSRAM

–バックアップ モードで保つことができる

•8つの32ビット バックアップ記録


システム

•パワー調整(POR)および節電の検出(BOD)

•内部および外的な時計の選択

•外部割込み機構のコントローラー(EIC)

•16の外部割込み機構

•1つのマスク不能割り込み

•2ピン連続ワイヤーは(SWD)プログラミング、テストを、およびデバッギング インターフェイス デバッグする


電源

•、スタンバイ遊んでいる、休眠モードを離れてバックアップ冬眠すれば

•夢遊ペリフェラル

•バッテリー・バックアップ サポート

•忙しい選択を支える埋め込まれたBuck/LDOの調整装置


環境及び輸出分類

属性記述
RoHSの状態迎合的なROHS3
湿気感受性のレベル(MSL)3 (168時間)
範囲の状態変化しないに達しなさい
ECCN3A991B1A
HTSUS8542.32.0071

China ATSAMD51G18A-MUのマイクロチップIC MCU 32BIT 256KBのフラッシュ48VQFNの集積回路 supplier

ATSAMD51G18A-MUのマイクロチップIC MCU 32BIT 256KBのフラッシュ48VQFNの集積回路

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