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DRV5032FBDBZR DRV5032テキサス・インスツルメントの磁気センサーは集積回路IC DRV5032FBDBZT TLWWを転換する
DRV5032FBDBZRテキサス・インスツルメントの磁気センサーは集積回路ICを転換する
指定:DRV5032超低力のデジタル スイッチ ホール効果素子センサーIC
部門 | センサー、トランスデューサーIC |
磁気センサー-スイッチ(ソリッド ステート) | |
Mfr | テキサス・インスツルメント |
シリーズ | 集積回路IC |
パッケージ | テープ及び巻き枠(TR) |
部分の状態 | 活動的 |
機能 | Omnipolarスイッチ |
技術 | ホール効果 |
分極 | 北極、南極 |
範囲の感知 | ±4.8mT旅行、±0.5mT解放 |
テスト条件 | 25°C |
電圧-供給 | 1.65V | 5.5V |
現在-供給(最高) | 1.8µA |
現在-出力(最高) | 5mA |
出力タイプ | プッシュ プル |
Features# | - DRV5032FBDBZR |
実用温度 | -40°C | 85°C |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | SOT-23-3 |
パッケージ/場合 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
基礎プロダクト数 | DRV5032 |
記述:
記述はDRV5032装置最も密集した、最も電池に敏感なシステムのために設計されている超低力のdigitalswitchホール効果素子センサーである。装置は多数磁気境界、サンプリング レート、出力運転者およびパッケージでさまざまな適用を収容するために提供される。応用磁束密度がBOPの境界を超過するとき、装置は低電圧を出力する。出力はBRPよりより少しに磁束密度まで低く減るとどまり、次に出力は高圧を運転するか、または装置版によって高いインピーダンスに、なる。内部発振器を組み込むことによって、装置は磁界を見本抽出し、20のHzのレートで出力、か最も低い消費電流のための5つのHzを更新する。Omnipolarおよび単極磁気応答は利用できる。装置は1.65ボルトから5.5ボルトのVCC範囲から作動し、標準的なSOT-23、TO-92および小さいX2SONで包まれる。
特徴:
1•Industry-leading超低いパワー消費量– 5 Hz版:1.8ボルト– 20 Hz版の0.54のµA:3ボルトの1.6 µA•1.65-VへのVCC範囲を作動させる5.5-V•磁気境界の選択(最高BOP):– 3.9 mTの最も高い感受性– 4.8 mTの高い感受性– 9.5 mTの中型の感受性– 63 mTの最も低い感受性•Omnipolarおよび単極選択•20 Hzおよび5 Hzサンプリング レートの選択•オープン下水管およびプッシュ プル出力オプション•SOT-23、X2SONおよびTO-92パッケージの選択•– +85°Cの実用温度範囲への40°C
2つの適用
•電池重大な位置感知
•電気のメートルのタンパーの検出
•携帯電話、ラップトップ、またはタブレットの箱の感知
•Eロック、煙探知器、電気器具
•医療機器、IoTシステム
•弁またはソレノイドの位置の検出
•無接触の診断か活発化
関連の部品:
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