MEMS と SAW 装置のための最先端のピエゾエレクトリック・ウェーファー製造 結果のための高度な処理能力
モデル番号:チップ鋳造サービス
産地:中国
最低注文量:1 PCS
支払条件:T/T
供給能力:10000個/月
配達時間:1〜4週間
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確認済みサプライヤー
Hangzhou Shanghai China
住所：
客室1106,CIBC,198号 武蔵道,杭州,中国人民共和国
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内 30 時間
製品詳細
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製品詳細
最先端のMEMSおよびSAW装置のためのピエゾ電気ウエファー製造 結果のための高度な処理能力
設計図と仕様を提供することで, 設計図と仕様を提供することで,,ワッフルの幅広い範囲にはリチウムニオバート (LiNbO)₃),リチウムタンタラート (リタオ)₃),シングルクリスタルクォーツ,溶けたシリカガラス,ボロシリケートガラス (BF33),ソーダ・ライム・グラス,シリコン・ウェーファーそしてサファイア幅広い用途に備えるようにしています
先進的なウェーファー材料のポートフォリオ
専門知識は 業界標準や 異国的な材料をカバーしています
- リチウムニオバート (LiNbO3, 4"-6"のウーフラー)
- リチウムタンタラート (LiTaO3,Zカット/Yカット)
- シングルクリスタルクォーツ (AT切割/SC切割)
- 溶融シリコン (コーニング7980相当)
- ボロシリケートガラス (BF33/Schott Borofloat®)
- シリコン (100/111向き,最大200mm)
- サファイア (C平面/R平面,2"×8")
核製造技術
リトグラフィー
- 電子ビームリトグラフィー (EBL,10nm解像度)
- ステップラーリトグラフィー (i線,365nm)
- 接近マスクアライナー (5μmのアライナメント精度)
エッチング
- ICP-RIE (SiO2/Si 切削速度 500nm/min)
- DRIE (アスペクト比30:1ボッシュプロセス)
- イオンビームエッチング (角均一性 <�±2°)
薄膜の堆積
- ALD (Al2O3/HfO2,<1nmの均一性)
- PECVD (SiNx/SiO2,ストレスを制御する)
- マグネトロンスプッター (Au/Pt/Ti,5nm1μm)
ウェーファー結合
- アノード結合 (ガラスからSi,400°C/1kV)
- エウテキス結合 (Au-Si, 363°C)
- 接着剤 (BCB/SU-8, <5μm)
プロセスインフラストラクチャのサポート
- 精密研磨 (TTV <2μm)
- CMPポーリング (Ra <0.5nm)
- レーザー切断 (50μmの切断幅)
- 3D測定法 (白光干渉測定)
MEMS と SAW 装置のための最先端のピエゾエレクトリック・ウェーファー製造 結果のための高度な処理能力
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