LNOI POIの高速調節および広い帯域幅の圧電気のウエファー

型式番号:LNOIのウエファー
原産地:中国
最低順序量:25個
支払の言葉:T/T
供給の能力:1000 PC/月
受渡し時間:1-4週
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Hangzhou Shanghai China
住所: 客室1106,CIBC,198号 武蔵道,杭州,中国人民共和国
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製品詳細

LNOI POIの高速調節そして広い帯域幅を可能にすること

 

絶縁材(POI)でPiezo圧電気材料が絶縁の基質に統合される技術を参照する。これは圧電効果の利用を電気分離を提供している間可能にする。感知、適用を収穫する作動およびエネルギーのための圧電気材料の独特な特性を利用するシステムおよびPOIの技術はさまざまな装置の開発を可能にする。

 

POIの(絶縁材でPiezo)技術は電気分離と圧電気材料の利点を結合する機能による異なった分野でさまざまな適用を見つける。センサーのような、Microelectromechanicalシステムおよびエネルギー蓄積および生成。

 

絶縁の基質に圧電気材料の多様な分野の革新的な解決のための可能性を、電子工学を含んで、エネルギー開発するために、統合の多様性ヘルスケア、およびもっと。

 

 

LNOIのウエファー
構造LN/SiO2/SiLTV/PLTV< 1=""> 5 mm2の)/95%
直径Φ100 ± 0.2 mm端Exclution5つのmm
厚さ500 ± 20のμm50 μmの中では
第一次平らな長さ47.5 ± 2つのmm
57.5 ± 2つのmm
端のトリミング2 ± 0.5 mm
ウエファーの斜角が付くことタイプRの環境Rohs 2.0
上LNの層
平均厚さ400/600±10 nm均等性< 40nm="">
屈折の索引> 2.2800無し、ne < 2="">オリエンテーションX軸の± 0.3°
等級光学表面のRA< 0="">
欠陥>1mmどれも;
300の合計内の1つのmm
薄片分離どれも
>1cmどれも;
3の内の1cm
第一次平たい箱垂直への+ Y軸の± 1°
分離SiO2つの
平均厚さ2000nm ± 15nm 3000nmの± 50nm 4700nmの± 100nm均等性<>
すてき。方法熱酸化物屈折の索引1.45-1.47 @ 633 nm
基質
材料Siオリエンテーション<100> ± 1°
第一次平らなオリエンテーション<110> ± 1°抵抗> 10 kΩ·cm
裏側の汚染目に見える汚れ無し裏側腐食

 

 

 


 

 

 

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LNOI POIの高速調節および広い帯域幅の圧電気のウエファー

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