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半導体のサファイアのウエファーのサファイアのWindowsの圧電気のウエファー
サファイアはそれを高温、熱衝撃、水および砂の腐食に対して抵抗力があるようにする、および負傷である物理的な、化学光学的性質の独特な組合せの材料。それは3µmから5µmまで多くのIRの適用のための優秀な窓材料である。C平面のサファイアの基質はR平面のサファイアの基質はマイクロエレクトロニックICの適用のためのケイ素のheteroエピタキシアル沈殿のために使用されるが広く利用されている青いLEDおよび半導体レーザーのためのGaNのようなIII-VおよびII-VIの混合物を育てるために。
項目 | 3インチのC平面(0001) 500μmのサファイアのウエファー | |
水晶材料 | 99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3 | |
等級 | 主、Epi準備ができた | |
表面のオリエンテーション | C平面(0001) | |
M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1° | ||
直径 | 76.2 mm +/- 0.1 mm | |
厚さ | 500 μm +/- 25 μm | |
第一次平らなオリエンテーション | 平面(11-20) +/- 0.2° | |
第一次平らな長さ | 22.0 mm +/- 1.0 mm | |
磨かれる単一の側面 | 前部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
(SSP) | 背部表面 | 良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm |
磨かれる二重側面 | 前部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
(DSP) | 背部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
TTV | < 15=""> | |
弓 | < 15=""> | |
ゆがみ | < 15=""> | |
/包むクリーニング | きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム | |
包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。 |
項目 | 4インチのC平面(0001) 650μmのサファイアのウエファー | |
水晶材料 | 99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3 | |
等級 | 主、Epi準備ができた | |
表面のオリエンテーション | C平面(0001) | |
M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1° | ||
直径 | 100.0 mm +/- 0.1 mm | |
厚さ | 650 μm +/- 25 μm | |
第一次平らなオリエンテーション | 平面(11-20) +/- 0.2° | |
第一次平らな長さ | 30.0 mm +/- 1.0 mm | |
磨かれる単一の側面 | 前部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
(SSP) | 背部表面 | 良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm |
磨かれる二重側面 | 前部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
(DSP) | 背部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
TTV | < 20=""> | |
弓 | < 20=""> | |
ゆがみ | < 20=""> | |
/包むクリーニング | きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム | |
包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。 |
項目 | 6インチのC平面(0001) 1300μmのサファイアのウエファー | |
水晶材料 | 99,999%の高い純度、モノクリスタルAl2O3 | |
等級 | 主、Epi準備ができた | |
表面のオリエンテーション | C平面(0001) | |
M軸線0.2の方のC平面の以外角度+/- 0.1° | ||
直径 | 150.0 mm +/- 0.2 mm | |
厚さ | 1300のμm +/- 25 μm | |
第一次平らなオリエンテーション | 平面(11-20) +/- 0.2° | |
第一次平らな長さ | 47.0 mm +/- 1.0 mm | |
磨かれる単一の側面 | 前部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
(SSP) | 背部表面 | 良い地面、RA = 1.2 μmへの0.8のμm |
磨かれる二重側面 | 前部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
(DSP) | 背部表面 | のRA Epi磨かれた < 0=""> |
TTV | < 25=""> | |
弓 | < 25=""> | |
ゆがみ | < 25=""> | |
/包むクリーニング | きれいになり、真空パックするクラス100のクリーンルーム | |
包むか、または単一部分の包装1個のカセットの25部分。 |
受入検査