LM358DRのチタニウム迎合的な操作Amp二重GP 16V/32V 8 Pin SOIC T/R EU RoHS
型式番号:LM358DR
原産地:中国
MPN:LM358DR
MFR:チタニウム
部門:IC
サイズ:1.5*5*3.98mm
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Shenzhen China
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国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
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製品詳細
会社概要
製品詳細
LM358DRのチタニウム操作Amp二重GP ±16V/32V 8 Pin SOIC T/R
プロダクト技術仕様
| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| 自動車 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| タイプ | 一般目的のアンプ |
| 製造業者のタイプ | 一般目的のアンプ |
| 破片ごとのチャネルの数 | 2 |
| 最高は入れたオフセットの電圧（mV）を | 7@30V |
| 最低の単一の供給電圧（v） | 3 |
| 典型的な単一の供給電圧（v） | 5|9|12|15|18|24|28 |
| 最高の単一の供給電圧（v） | 32 |
| 最低の二重供給電圧（v） | ±1.5 |
| 典型的な二重供給電圧（v） | ±3|±5|±9|±12|±15 |
| 最高の二重供給電圧（v） | ±16 |
| 最高によって入れられるオフセットの流れ（uA） | 0.05@5V |
| 典型的な入れられたバイアス流れ（uA） | 0.02@5V |
| 最高によって入れられるバイアス流れ（uA） | 0.25@5V |
| 最高の静止流れ（mA） | 1.2@5V @0Cへの70C |
| 典型的な出力電流（mA） | 30@15V |
| 電源のタイプ | 単一|二重 |
| 典型的なスルー・レート（V/us） | 0.3@±15V |
| 典型的な入れられた騒音の電圧密度（nV/rtHz） | 40@±15V |
| 入れられたオフセットの電圧漂流（uV/°C） | 7 （タイプ） |
| 典型的な電圧利益（dB） | 100 |
| 最低PSRR （dB） | 65 |
| 最低CMRR （dB） | 65 |
| 最低CMRRの範囲（dB） | 65から70 |
| 典型的な利益帯域幅プロダクト（MHz） | 0.7 |
| 締められたサポート | いいえ |
| 最低の実用温度（°C） | 0 |
| 最高使用可能温度（°C） | 70 |
| 包装 | テープおよび巻き枠 |
| ピン・カウント | 8 |
| 標準パッケージの名前 | SOP |
| 製造者のパッケージ | SOIC |
| 土台 | 表面の台紙 |
| パッケージの高さ | 1.5 （最高） |
| パッケージの長さ | 5 （最高） |
| パッケージの幅 | 3.98 （最高） |
| PCBは変わった | 8 |
| 鉛の形 | カモメ翼 |
LM358DRのチタニウム迎合的な操作Amp二重GP 16V/32V 8 Pin SOIC T/R EU RoHS
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