ミクロンの連続フラッシュ・メモリのデータ記憶M25PE16-VMW6TG 16Mビット2M x 8 8ns
型式番号:M25PE16-VMW6TG
原産地:韓国
最低順序量:パッケージQty
包装の細部:テープおよび巻き枠
受渡し時間:2週
支払の言葉:T/T
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Shenzhen China
住所：
国際ロジスティクスの中心A-702の第1中国南部道、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 2 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
M25PE16-VMW6TGミクロン抜け目がない連続SPI 3.3V 16Mビット2M x 8 8ns 8 Pin SOIC W T/R
プロダクト技術仕様
| EU RoHS | 迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 時代遅れ |
| HTS | 8542.32.00.71 |
| 自動車 | いいえ |
| PPAP | いいえ |
| 細胞のタイプ | |
| 破片密度（ビット） | 16M |
| 建築 | Sectored |
| ブート ブロック | いいえ |
| ブロック構成 | 対称 |
| 住所バス幅（ビット） | 1 |
| セクタ サイズ | 64Kbyte X 32 |
| ページ サイズ | 256byte |
| ビット/単語（ビット）の数 | 8 |
| 単語の数 | 2M |
| プログラム可能性 | はい |
| タイミングのタイプ | 同期 |
| 最高。アクセス時間（ns） | 8 |
| 最高の消去の時間（S） | 5/Sector |
| 最高のプログラミングの時間（氏） | 3/Page |
| インターフェイスの種類 | 連続SPI |
| 最低の作動の供給電圧（v） | 2.7 |
| 典型的な作動の供給電圧（v） | 3.3 |
| 最高の作動の供給電圧（v） | 3.6 |
| プログラミングの電圧（v） | 2.7から3.6 |
| 動作電流（mA） | 12 |
| プログラム流れ（mA） | 15 |
| 最低の実用温度（°C） | -40 |
| 最高使用可能温度（°C） | 85 |
| 製造者の温度の等級 | 産業 |
| 互換性がある命令 | いいえ |
| ECCサポート | いいえ |
| ページ モードのサポート | はい |
| 包装 | テープおよび巻き枠 |
| 製造者のパッケージ | SOIC W |
| ピン・カウント | 8 |
| 標準パッケージの名前 | SOP |
| 土台 | 表面の台紙 |
| パッケージの高さ | 1.91 （最高） |
| パッケージの長さ | 5.49 （最高） |
| パッケージの幅 | 5.49 （最高） |
| PCBは変わった | 8 |
| 鉛の形 | カモメ翼 |
ミクロンの連続フラッシュ・メモリのデータ記憶M25PE16-VMW6TG 16Mビット2M x 8 8ns
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