IGBT力モジュールのテキサス・インスツルメントの黒いチタニウムISO1432BDWR
型式番号:ISO1432BDWR
原産地:N/S
最低順序量:1pcs
支払の言葉:T/T
供給の能力:9999999+PCS
受渡し時間:2-7の仕事日
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Shenzhen China
住所：
7F、造るFのLongjing科学公園、335 Bulongの道、Ma Antangのコミュニティ、Bantianの通り、Longgang地区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI ISO1432BDWR
| 二重 | 完全 |
| データ転送速度（最高） （Mbps） | 12 |
| 分離の評価（Vrms） | 5000 |
| 統合された隔離された力 | いいえ |
| 実用温度範囲（c） | -40から125 |
| フェイル・セイフ | 、開いた遊んでいる、短い |
| HBM ESD （kV） | 30 |
| サージ電圧の機能（Vpk） | 10000 |
ISO1432のための特徴
- TIA/EIA-485-Aと互換性がある
- 5-Vバス側の供給で互換性があるPROFIBUS
- バス入力/出力の保護
- ± 30 kV HBM
- ±16kV IEC 61000-4-2の接触の排出
- ± 4 kV IEC 61000-4-4Electricalの速いトランジェント
- 低EMI 500キロビット/秒、Mbpsおよび50のMbpsの12のデータ転送速度
- 5.5-V論理側の供給（Vへの1.71-VCC1）、5.5-Vバス側の供給（Vへの3-VCC2）
- 開いた、短いバスおよび空転のためのフェイル・セイフ受信機
- 1/8のユニット ロード バスの256までのノード
- 100-kV/µs （典型的な）高い共通モード一時的な免除
- – 40°Cからの+125°Cへの延長温度較差
- 熱い差込のためにGlitch-freeパワーアップそしてパワー
- ワイドボディのSOIC-16パッケージ
- ほとんどの隔離されたRS-485トランシーバーに互換性があるPin
- Safety-related証明:
- 7071-VPK VIOTM and1500-VPK VDINVDE V 0884-11:2017-01ごとのIORMの（補強された基本選択）
- 5000-VUL 1577ごとの1分のRMSisolation
- IEC 60950-1、IEC62368-1、IEC 60601-1およびIEC 61010-1の証明
- CQC、TUVおよびCSAの承認
ISO1432のための記述
ISO14xx装置はTIA/EIARS-485およびRS-422適用のためのガルバニック隔離された差動ライン トランシーバーである。これらの騒音免疫があるトランシーバーはharshindustrial環境で作動するように設計されている。これらの装置のバス ピンはシステム レベルの保護のためのバスの必要性のforadditionalの部品を除去するIECの電気速いトランジェント（EFT）のでき事のハイ レベルにおよびIECのelectrostaticdischarge （ESD）耐えることができる。装置は両方のために利用できるbasicandによって補強される分離（補強された基本分離の選択を見なさい）。
これらの装置は長距離コミュニケーションのために使用される。分離は地面をloopbetween伝達し合うノードを壊し、大いにより大きい共通モード電圧範囲を可能にする。各装置のThesymmetricalの分離の障壁は5000ボルトを提供するためにテストされるバス ラインのトランシーバーと論理levelinterface間のUL 1577ごとの1分のRMSofの分離。
ISO14xx装置は1.71ボルトから低電圧FPGAsおよびASICsとbeinterfaced装置を可能にする側面1の5.5ボルトに作動できる。3ボルトからの5.5 Veliminatesへの側面2の広い供給電圧隔離された側面の調整された供給電圧のための必要性。これらの装置は– 40°Cから+125°C.に周囲温度の範囲を作動させるawideを支える。
IGBT力モジュールのテキサス・インスツルメントの黒いチタニウムISO1432BDWR
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