120 ℃への自動車SMDのチップ・コンデンサのチタニウムTPS23755RJJT 55 EAR99 ECCN

型式番号:TPS23755RJJT
原産地:N/S
最低順序量:1pcs
支払の言葉:T/T
供給の能力:9999999+PCS
受渡し時間:2-7の仕事日
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Shenzhen China
住所: 7F、造るFのLongjing科学公園、335 Bulongの道、Ma Antangのコミュニティ、Bantianの通り、Longgang地区、シンセン、中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

SMDのチップ・コンデンサ テキサス・インスツルメント/TI TPS23755RJJT

ECADモジュールPCB記号、足跡及び3Dモデル
需要と供給の状態バランス
人気高い
公開市場の擬似脅威82のpct。
パッケージ1個あたりの量250
HTSUS8542.39.0001
ECCNEAR99
範囲の状態変化しないに達しなさい
MSLのレベル2 (1年)
場合/パッケージ24-VSON (6x4)
パッケージ24-VFDFNはパッド、23の鉛を露出した
土台表面の台紙
実用温度範囲-40°C | 125°C (TJ)
パッケージ巻き枠- TR
製造業者テキサス・インスツルメント
特徴イーサネット コントローラー チャネル802.3at (PoE)上の力24-VSON (6x4)
推定Pruductionの調達期間25週
部門集積回路(IC)
TPS23755
他の部品番号296-TPS23755RJJTCT、296-TPS23755RJJTDKR、296-TPS23755RJJTTR

TPS23755のための特徴

  • タイプ1 PoEのための完全なIEEE 802.3at PDの解決
    • イーサネット同盟(EA)のロゴは利用できる設計を証明した
    • 強い100-Vの0.36-Ω (タイプ)ホット スワップMOSFET
    • プログラム可能な分類のレベル
  • 0.77-Ω (タイプ) 150-V力MOSFETが付いている統合されたPWMのコントローラー
    • PSRのフライバックのコントローラー
      • 二次側面のダイオード整流器とのCCM操作を支える
      • ±3%の(タイプ、12-Vは出力した)負荷規則(5%-100%範囲)
    • サポート低側のスイッチ木びき台の地勢学
    • 同時性の調節可能な転換の頻度
    • 高度の開始
    • 高められたEMIの減少のために震えるプログラム可能なスルー・レートおよび頻度
  • スムーズな移行の二次側面のアダプター優先順位制御
  • – 125°C接合部温度の範囲への40°C
  • 小さい6 mm X 4 mm VSONのパッケージ

TPS23755のための記述

TPS23755装置はイーサネット(PoE)動力を与えられた装置(PD)インターフェイス上の力、150-V転換力FETを、およびフライバックの地勢学のために最大限に活用されるcurrent-mode DC-DCのコントローラー結合する。第一次側面の規則(PSR)、震えるスペクトラム拡散の頻度(SSFD)、および高度の開始と共に統合のhigh-levelはTPS23755にサイズ強いられた適用のための理想的な解決をする。PoEの実施は13-W、タイプ1 PDとしてIEEE 802.3atの標準を支える。

DC-DCのコントローラーのPSRの特徴は外的な分路調整装置およびオプトカプラーのための必要性を除去する出力電圧の制御のために補助巻上げからのフィードバックを使用する。それは二次側面のダイオード整流器との操作のために最大限に活用される(普通12-V出力かより高い)。通常、コンバーターは連続的な伝導モードで250のkHzの転換の頻度で(CCM)作動する。

SFFDおよびたくさんの速度制御はEMIフィルタのサイズそして費用を最小にするのを助ける。高度の開始はコンバーターの開始およびしゃっくりの設計を簡単にしている間最低バイアス コンデンサーの使用を可能にする。

二次補助電源は二次側面力のアダプターにスムーズな移行を、効率か熱トレードオフ無しでPoEの入力パワーに出入して保障している間機能を提供する優先順位を検出する。

DC-DCのコントローラーは内部ソフト開始、斜面の補償、および削除を特色にする。非絶縁適用のために、木びき台の地勢学はまたTPS23755によって支えられる。

China 120 ℃への自動車SMDのチップ・コンデンサのチタニウムTPS23755RJJT 55 EAR99 ECCN supplier

120 ℃への自動車SMDのチップ・コンデンサのチタニウムTPS23755RJJT 55 EAR99 ECCN

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