MR0A08BCYS35 MRAMの磁気抵抗RAMメモリMRAMの記憶データ記憶
型式番号:MR0A08BCYS35
原産地:原物
最小注文数量:10pcs
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供給能力:10000pcs/months
納期:1-3week幾日
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Shenzhen China
住所：
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
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内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
MR0A08BCYS35磁気抵抗RAMメモリ（MRAM）のEHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35記憶データ記憶
特徴の利点
•1つの記憶はより簡単で、より有効な設計のためのシステムのフラッシュ、SRAM、EEPROMおよびMRAMを取り替える
•電池に支えられるSRAMを取り替えることによって信頼性を改善する
•3.3ボルトの電源
•速く35 nsの読み書き周期
•SRAMの多用性があるタイミング
•原産のnon-volatility
•無制限の読書及び持久力を書くため
•温度で>20年の間不揮発性データ常に
•商業および産業温度
•すべてのプロダクトはMSL-3湿気感受性のレベルにあう
•RoHS迎合的なTSOP2およびBGAのパッケージ
利点
•1つの記憶はより簡単で、より有効な設計のためのシステムのフラッシュ、SRAM、EEPROMおよびMRAMを取り替える
•電池に支えられるSRAMを取り替えることによって信頼性を改善する
| 製品カテゴリ: | MRAM |
| TSOP-44 | |
| 平行 | |
| 1 Mbit | |
| 128 k X 8 | |
| 8ビット | |
| 35 ns | |
| 3ボルト | |
| 3.6 V | |
| 55 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| MR0A08B | |
| 皿 | |
| 敏感な湿気: | はい |
| 様式の取付け: | SMD/SMT |
| 製品タイプ: | MRAM |
| 135 | |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| 単位重量: | 0.178707 oz |
MR0A08BCYS35 MRAMの磁気抵抗RAMメモリMRAMの記憶データ記憶
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