BTS5016-1EKBの集積回路の半導体ICの破片の電源スイッチIC -配分PROFETの電子部品
型式番号:BTS5016-1EKB
原産地:元
最低順序量:10PCS
支払の言葉:L/C、T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:10000pcs/months
受渡し時間:1-3workdays
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正会員
Shenzhen China
住所：
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
スマートな高側の電源スイッチBTS5016-1EKB
1つの概観
適用
•抵抗の、誘導および容量性負荷のために適した
•電気機械のリレー、ヒューズおよび分離した回路を取り替える
•ランプのような高い侵入の流れが付いている負荷のために、最も適した
基本的な特徴
•1つのチャネル装置
•非常に低い予備の流れ
•3.3 Vおよび5つのVの多用性がある論理の入力
•静電放電の保護（ESD）
•最大限に活用された電磁適合性
•負荷地面から独立した論理の地面
•国家を離れて現在のまさに低い電力DMOSの漏出
•緑プロダクト（迎合的なRoHS）
•AECは修飾した
記述
BTS5016-1EKBはPG-DSO-14-47 EP、露出されたパッドのパッケージで埋め込まれる16のmΩの単一チャネルのスマートな高側の電源スイッチであり保護機能および診断を提供する。力トランジスターはチャージ ポンプを搭載するN-channel縦力MOSFETによって造られる。装置はSmart6技術で統合される。特にH4までランプ、また粗い自動車環境のLEDsを運転することを設計する。
表1プロダクト概要
| 変数 | 記号 | 価値 |
| 作動の電圧範囲 | 対（操作） | 5ボルト… 28ボルト |
| 最高の供給電圧 | 対（LD） | 41ボルト |
| 州の抵抗の最高のTJ = 150 °C | RDS （） | 32 mΩ |
| わずかな負荷流れ | IL （NOM） | 8 A |
| 典型的な現在の感覚の比率 | kILIS | 3500 |
| 最低の現在の限定 | IL5 （SC） | 50 A |
| 負荷とで現在の最高のスタンバイTJ = 25 °C | ある（） | 0.7のµA |
| タイプ | パッケージ | 印 |
| BTS5016-1EKB | PG-DSO-14-47 EP | BTS5016-1EKB |
診断機能
•比例した負荷現在の感覚
•断続的に開いた負荷
•電池および地面への短絡
•温度過昇
•短絡の間の安定した診断信号
•温度および負荷流れとの高められたkILISの依存
保護機能
•不足電圧の間の安定した行動
•外的な部品との逆の極性の保護
•外的な部品との論理の地面の接続解除の間にturn-off安全な負荷
•再始動を用いる過熱保護
•外的な部品との過電圧の保護
•電圧依存した現在の限定
•高められた短絡操作
BTS5016-1EKBの集積回路の半導体ICの破片の電源スイッチIC -配分PROFETの電子部品
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