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BQ2201SNの記憶IC記憶コントローラーSMD/SMT SOIC-8 1チャネル
特徴
1.Power監視および切換え
3ボルト電池-バックアップapplica-のため
tions
制御を2.Write保護しなさい
3.3ボルトの一次電池の入力
10ns chip-enableより4.Less
伝搬遅延
5.5%か10%の供給操作
記憶コントローラー | |
RoHS: | 細部 |
不揮発性SRAM | |
はい | |
5.5 V | |
4.5 V | |
3 mA | |
- 40 C | |
+ 85 C | |
SMD/SMT | |
SOIC-8 | |
管 | |
記述/機能: | すべての必要な機能をnonvolatilereadに標準的なCMOS SRAMを変えるために提供したり/記憶を書く |
リチウム電池のモニター: | はい |
記憶チャネルの数: | 1 |
作動の供給電圧: | 5ボルト |
実用温度範囲: | - + 85 Cへの40 C |
製品タイプ: | 記憶コントローラー |
シリーズ: | 細部 |
工場パックの量: | 75 |
下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
タイプ: | 不揮発性SRAM (NVSRAM) |
単位重量: | 0.002677 oz |