MT61K256M32JE-14-A 8gb EMMCのフラッシュ・メモリのドラムのコントローラーIC GDDR6 8G 256MX32

型式番号:MT61K256M32JE-14-A
原産地:原物
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、PayPal
供給の能力:10000pcs/months
受渡し時間:1-3仕事日
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Shenzhen China
住所: 5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
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製品詳細

MT61K256M32JE-14:元のドラムGDDR6 8G 256MX32 FBGAの記憶データ記憶


特徴

•VDD = VDDQ = 1.35V ±3%、1.25V ±3%、および1.20V – 2%/+3%

•VPP = 1.8V – 3%/+6%

•データ転送速度:12 Gb/s、14 Gb/s、16 Gb/s

•2つの別々の独立したチャネル(x16)

•調整で置かれるx16/x8および2-channel/pseudoチャネル(PC)モード構成

•指令アドレス(カリフォルニア)およびデータのためのチャネルごとの単一の終えられたインターフェイス

•2つのチャネルごとのカリフォルニアのための差動クロックの入力CK_t/CK_c

•1台の差動クロックの入力 データ(DQ、DBI_n、EDC)のためのチャネルごとのWCK_t/WCK_cを

•二重データ転送速度(DDR)命令/住所(CK)

•クォードのデータ転送速度(QDR)および動作周波数による二重データ転送速度(DDR)データ(WCK)、

•配列の読書ごとの256ビットとの16n先取りの建築またはライト・アクセスを

•16の内部銀行

•tCCDL = 3tCKおよび4tCKのための4人の銀行団

•プログラム可能な読まれた潜伏

•プログラム可能潜伏を書きなさい

•単一および二重バイトのマスクの粒度のカリフォルニア バスでデータ マスク機能を書きなさい

•データ・バス逆転(DBI)およびカリフォルニア バス逆転(CABI)

•入出力PLL

•カリフォルニア バス訓練:DQ/DBI_n/EDC信号によるカリフォルニアの入力監視

•EDC信号による段階情報のWCK2CKの時計の訓練

•データは読まれた先入れ先出し法(深さ= 6)によって訓練を読み、書く

•巡回冗長検査によって保証される読み書きデータ伝送の完全性

•プログラム可能なCRCは潜伏を読んだ

•プログラム可能なCRCは潜伏を書く

•司令官のためのプログラム可能なEDCの把握パターン

•EDCピンのRDQSモード

 

ドラム
RoHS:細部
SGRAM - GDDR6
SMD/SMT
FBGA-180
32ビット
256のM X 32
8 Gbit
1.75 GHz
1.3905 V
1.3095 V
0 C
+ 95 C
MT61K
ブランド:在庫の原物
敏感な湿気:はい
製品タイプ:ドラム
工場パックの量:1260
下位範疇:記憶及びデータ記憶
単位重量:0.194430 oz
China MT61K256M32JE-14-A 8gb EMMCのフラッシュ・メモリのドラムのコントローラーIC GDDR6 8G 256MX32 supplier

MT61K256M32JE-14-A 8gb EMMCのフラッシュ・メモリのドラムのコントローラーIC GDDR6 8G 256MX32

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