DS1250Y-70IND+の記憶ICデータ記憶NVRAM 512kx8の平行
型式番号:DS1250Y-70IND+
原産地:原物
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/TのWestsern連合、PayPay
供給の能力:1000PCS/Months
受渡し時間:2-3仕事日
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正会員
Shenzhen China
住所：
5C、造るDのギャラクシーWORLD.Longhua地区、Shenzhen.CN
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
DS1250Y-70IND+の記憶ICデータ記憶NVRAMの平行原物
特徴
外部力のtheabsenceの最低データ保持10年の
データは電源切れの間に自動的に保護される
512k Xの8揮発静的なRAM、EEPROMまたはフラッシュ・メモリを取り替える
無制限周期を書きなさい
ローパワーCMOS
読書および70nsのライト・アクセスの時間を
リチウム エネルギー源は電気で力がはじめて適用されるまで新鮮さを保つために切られる
十分に±10%のVCC動作範囲（DS1250Y）
任意±5%のVCC動作範囲（DS1250AB）
-40°Cへの+85°Cの任意産業温度較差は、INDを示した
JEDEC標準的な32ピンすくいのパッケージ
PowerCapモジュール（PCM）のパッケージ
- 直接表面取付け可能なモジュール
- 取り替え可能なスナップ式のPowerCapはリチウム バックアップ電池を提供する
- すべての不揮発性SRAMプロダクトのための標準化されたpinout
- PCMの取り外しの特徴は規則的なスクリュードライバーを使用して容易な取り外しを可能にする
| 製品特質 | 属性値 |
| 製品カテゴリ: | NVRAM |
| パッケージ/場合: | EDIP-32 |
| インターフェイスの種類: | 平行 |
| 記憶容量: | 4 Mbit |
| 構成: | 512 k X 8 |
| データ・バス幅: | 8ビット |
| アクセス時間: | 70 ns |
| 最高供給電圧-: | 5.5 V |
| 供給電圧-分: | 4.5 V |
| 作動の供給の流れ: | 85 mA |
| 最低の実用温度: | - 40 C |
| 最高使用可能温度: | + 85 C |
| シリーズ: | DS1250Y |
| 包装: | 管 |
| 高さ: | 9.4 mm |
| 長さ: | 43.69 mm |
| 様式の取付け: | 穴を通して |
| 作動の供給電圧: | 5ボルト |
| 製品タイプ: | NVRAM |
| 工場パックの量: | 11 |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| タイプ: | NVSRAM |
| 幅: | 18.8 mm |
| 部分#別名: | DS1250Y 90-1250Y+07I |
| 単位重量: | 31.592 g |
DS1250Y-70IND+の記憶ICデータ記憶NVRAM 512kx8の平行
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