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厳しい環境のための工業級Eインクディスプレイ
SFE213RJBW-7307Aは2.13インチのモノクロエレクトロフォレティックディスプレイ (EPD) で,電子棚ラベル (ESL),携帯医療機器,IoT エッジシステム超低深睡眠電流 (<1μA) と構成可能なSPIインターフェース (4ワイヤーまたは3ワイヤー) で,このモジュールはMCUリソースオーバーヘッドを最小限に抑えながら長年のバッテリー使用時間を可能にします.
工場統合のための精密工学
信頼性: IEC 60068-2 標準により熱ショック (-25°C 〜 +70°C),湿度 (90% RH),振動について検証された.
供給チェーン安定性:中国のシェンゼンにあるISO 9001/14001認証施設で製造され,部品の供給源を追跡できる (タイヨユデンの誘導器,オンセミダイオード).
設計サポート: 参照回路 (19ページ),LUT波形,および迅速なPCB統合のためのACタイム図 (13ページ) を含む.
テクニカル・ディフェリエンセーション vs. ジェネリック・ディスプレイ
部分リフレッシュ (0.3s): ダイナミックなESL価格更新のために,フルリフレッシュ (1.8s) より6倍速く.
オンチップの電力管理: VCOM,VGH,VGLの統合ブースター/レギュレーター 外部PMICは必要ない.
ESD 硬化:工場操作の頑丈性のためにIEC61000-4-2 (4kV接触/8kV空気) に適合する.
アメリカとドイツのエンジニアリングチームにとって理想的
自動 ESL システム:SPI デイジーチェーンによる大規模な展開支援
医療/物流ツール:冷却チェーン適合のために,広い温度範囲 (-25°Cから+60°Cの保存)
長寿フォーカス: 安定したゼロパワー画像保持と5万回以上の更新サイクル
オーダー&コンプライアンス
MOQ: 1,000個 (カスタムボリュームが利用可能)
配送時間: 4~6週間 (EU/米国への航空貨物)
文書:完全なREACH/RoHS試験報告,IPC対応のパッケージ (480pcs/box)
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▶ CTP サンプル を 要求 し て ください.20 日 の 待ち 時間 を 付与 し た パーソナライズド タッチ ソリューション
を 求め て ください.
メカニカル仕様
パラメータ | 仕様 | ユニット | コメント |
スクリーンサイズ | 2.13 | インチ | |
画面の解像度 | 122 (H) × 250 (V) | ピクセル | DPI: 詳細は130 |
アクティブ エリア | 23.7×4855 | mm | |
ピクセルピッチ | 01943年×01942 | mm | |
ピクセル構成 | リタングル | ||
図面の次元 | 29.2 (H) ×59.2 (V) ×0.9 (D) | mm | |
体重 | TBD | g |
絶対最大格付け
パラメータ | シンボル | 格付け | ユニット |
論理電源電圧 | VCI | -0.3から +60 | V |
ロジック入力電圧 | VIN | -0.3からVCI+03 | V |
論理 出力電圧 | VOUT | -0.3からVCI+03 | V |
動作温度範囲 | トーパー | 0 から +50 | oC |
貯蔵温度範囲 | TSTG | -25から+60 | oC |
最適な貯蔵温度 | TSTGoについて | 23±2 | oC |
オプトマ ストレージ | HSTGoについて | 55±10 | RH |
パネルのDC特性
パラメータ | シンボル | 条件 | ミン | タイプする | マックス | ユニット | |
単一の地面 | GND | - | - | 0 | - | V | |
IO 供給電圧 | VDDIO | - | 2.3 | 3.3 | 3.6 | V | |
デジタル/アナログ電源電圧 | VDD | - | 2.3 | 3.3 | 3.6 | V | |
高レベルの入力電圧 | Vih | - | 0.7VDDIO | - | VDDIO | V | |
低レベルの入力電圧 | ヴィル | - | 0 | - | 0.3VDDIO | V | |
高レベルの出力電圧 | ほら | IOH = 400uA | VDDIO-04 | - | - | V | |
低レベルの出力電圧 | フルランス | IOL = -400uA | 0 | - | 0.4 | V | |
OTP プログラムの電源 | VPP | - | 7.5 | 7.75 | 8.0 | V | |
VCOM出力電圧 | VCOM | - 4つ0 | - | -0だった1 | V | ||
陽性ゲート電圧 | VGH | +17 | - | +20 | V | ||
負のゲート電圧 | VGL | -20歳 | - | -17歳 | V | ||
陽性 源電圧 | VDH | +2 だった4 | +15 | +15 | V | ||
陽性 源電圧 | VSHR | +2 だった4 | +5 | +15 | V | ||
負の源出力電圧 | VDL | -15歳 | -15歳 | - 2つ4 | V |
オプティカル仕様
シンボル | パラメータ | 条件 | 価値観 | 単位 | ||
ミン | タイプする | マックス | ||||
R | 白色反射力 | ホワイト | 30 | 35 | - | % |
CR | コントラスト比 | - | 8 | 15 | - | |
T更新_ RS | 更新時間 | 25°C | - | 0.3-18 | - | 秒数 |
入力/出力ピンの割り当て
違う | 名前 | I/O | 記述 |
1 | NC | 他のNCピンと接続しないでください. | |
2 | ドイツ民主共和国 | オー | NチャネルMOSFETゲートドライブ制御 |
3 | RESE について | P | 制御ループの電流感知入力 |
4 | NC | 他のNCピンと接続しないでください. | |
5 | VDHR | P | 陽源電圧 |
6 | TSCL | オー | I 2 C デジタル温度センサーとのインターフェース 時計ピン |
7 | TSDA | I/O | I2C デジタル温度センサーのインターフェース データピン |
8 | BS | 私は | バスインターフェイス選択ピン |
9 | BUSY_N | オー | 忙しい状態の出力ピン |
10 | RST_N | 私は | 信号入力を再セット 低速 |
11 | DC | 私は | データ/コマンド コントロールピン |
12 | CSB | 私は | チップ入力ピンを選択 |
13 | SCL | 私は | シリアルクロックピン (SPI) |
14 | SDA | I/O | シリアルデータピン (SPI) |
15 | VDDIO | P | IO電圧供給 |
16 | VDD | P | デジタル/アナログ電源 |
17 | GND | P | デジタルグラウンド |
18 | VDDD | P | 1.8V 入力・出力電圧 |
19 | VPP | P | OTP プログラミング用の電源 |
20 | VDH | P | 陽源電圧 |
21 | VGH | P | 陽性ゲート電圧 |
22 | VDL | P | 負源電圧 |
23 | VGL | P | 負のゲート電圧 |
24 | VCOM | オー | VCOM 駆動電圧 |