SMAF平面にSMDの一般目的に整流器ダイオードの高温にはんだ付けすること

型式番号:S1M SMAF
原産地:中国
最低順序量:3000個
支払の言葉:T/T、Paypal の現金
供給の能力:月10億部分の
受渡し時間:2 - 4週間
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Dongguan Guangdong China
住所: Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

 

SMAFの平面標準的な整流器ダイオードSMDのダイオード

SMAF平面にSMDの一般目的に整流器ダイオードの高温はんだ付けすること

 

S1AF~S1MF SMAF Datasheet.pdf

 

 

特徴:
 
    
  • プラスチック パッケージは保険業者の実験室の燃焼性の分類94V-0を運ぶ
  • プリント基板のための考え
  • ガラス不動態化された接続点の破片
  • 低い逆の漏出
  • 高い前方サージ電流の機能
  • 保証される高温にはんだ付けすること

 

 

 

機械データ:

 

 

 

  • 場合:形成されたプラスチック ボディ
  • ターミナル:はんだは、MIL-STD-750の方法2026年ごとにsolderableめっきした
  • 極性:色バンドは陰極の端を表示する
  • 土台位置:
  • 重量:0.0014オンス、0.038グラム

 

 

最高の評価および電気特徴:

 

 

25のCの周囲温度の評価他に特に規定がなければ。単一フェーズ容量性負荷流れのための半波60Hzの、抵抗または誘導負荷は、20%によって軽減する。

 

 

変数記号S1A

 

S1B

 

S1DS1GS1JS1KS1M単位
最高の反復的なピークの逆電圧VRRM50

 

100

 

2004006008001000ボルト
最高RMSの電圧VRMS35

 

70

 

140280420560700ボルト
最高DCの妨害電圧VDC50

 

100

 

2004006008001000ボルト
TL=100°Cの最高平均前方整流器の流れ(AV)

 

1

 

Amps
ピーク前方サージ電流、定格負荷で重ねられる8.3msSingle半分の正弦波IFSM30Amps
1Aの最高の即時前方電圧VF

 

1.1

 

ボルト
評価されるDCの妨害電圧の最高DCの逆の流れTA=25°CIR5μA
TA=125°C500

 

 

注: 1. 4.0V D.C.の1MHzそして応用逆電圧で測定されて

 

 

 

 

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