高速クロック周波数のマイクロフラッシュ・メモリICの破片SST25VF080B 8 Mbit SPIの連続

型式番号:SST25VF080B-50-4C-S2AF

原産地:元の工場

最低順序量:10pcs

支払の言葉:T ・ T、西 Union，PAYPAL

供給の能力:100000pcs

受渡し時間:1 - 3日

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シンセンATFUの電子工学の技術株式会社

正会員

Shenzhen Guangdong China

住所：部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031

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製品詳細会社概要

製品詳細

高速クロック周波数のフラッシュ・メモリの破片ICのマイクロチップSST25VF080B 8 Mbit SPIの連続フラッシュ

概説

25のシリーズ連続抜け目がない家族は四線式をのより少ない板スペースを占め、最終的にトータルシステムの費用を下げる低いピン計算のパッケージを可能にするSPIcompatibleインターフェイス特色にします。SST25VF080B装置は改善された動作周波数および低い電力の消費と高められます。SST25VF080B SPIの連続フラッシュ・メモリは専有の、高性能CMOS SuperFlashの技術と製造されます。割れ目ゲートの細胞の設計および厚酸化物のトンネルを掘る注入器は互い違いのアプローチと比較されるよりよい信頼性およびmanufacturabilityを達成します。

SST25VF080B装置はかなりパワー消費量を下げている間性能および信頼性を改善します。装置は（プログラムか消去）書きますSST25VF080Bのために2.7-3.6Vの単一の電源と。消費される総合エネルギーは適用の応用電圧、流れおよび時の機能です。ある特定の電圧範囲のために、SuperFlashの技術がプログラムするのにより少なく現在使用し、より短い消去のひとときを過ごすので、あらゆる消去またはプログラム操作の間に消費される総合エネルギーは代わりとなるフラッシュ・メモリの技術よりより少しです。

SST25VF080B装置は8鉛SOIC （200ミル）、8接触WSON （6mm x 5mm）、および8鉛PDIP （300ミル）のパッケージで提供されます。

特徴

•単一の電圧は操作を読み、書きます
- 2.7-3.6V

•シリアル・インタフェースの建築
- 互換性があるSPI:モード0およびモード3

•高速クロック周波数
- 50/66のMHz条件付き

•優秀な信頼性
- 持久力:100,000の周期（典型的）
- 保持100年以上データ

•低い電力の消費:
- 能動態は流れを読みました:10 mA （典型的）
- スタンバイの流れ:5 µA （典型的な）

•適用範囲が広い消去の機能
- ユニフォーム4つのKバイトのセクター
- ユニフォーム32のKバイトの上敷のブロック
- ユニフォーム64のKバイトの上敷のブロック

•消去およびバイトプログラムは絶食します:
- 破片消去の時間:35氏（典型的な）
- セクター/Block消去の時間:18氏（典型的な）
- バイトプログラム時間:7つのµs （典型的な）

•住所増分の(AAI)の自動プログラミング
- バイトプログラム操作上の総破片のプログラミングの時間を減らして下さい

SST25VF080B SuperFlashの記憶配列はユニフォームで32のKバイトの上敷のブロックおよび64のKバイトによって上にあられる消去可能なブロックが付いている4つのKバイトの消去可能なセクター組織されます。

ATFUの余分な目録:

SST25VF080B-50-4C-S2AF
SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AF
SST25VF080B-50-4I-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AE
SST25VF080B-50-4I-S2AE-T
SST25VF080B-50-4C-QAF
SST25VF080B-50-4C-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAF
SST25VF080B-50-4I-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAE
SST25VF080B-50-4I-QAE-T
SST25VF080B-50-4C-PAE
SST25VF080B-50-4C-PAE-T