二重低い電力のフラッシュ・メモリ モジュール/クォードSPI WINBOND W25Q128JVSSIQ SOIC-8 128Mビット
型式番号:W25Q128JVSSIQ
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T ・ T、西 Union，PAYPAL
供給の能力:100000pcs
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
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内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
WINBOND W25Q128JVSSIQ SOIC-8 128Mbitの二重/クォードSPIが付いている連続フラッシュ・メモリの破片IC
W25Q128JV-IQ/JQの有効な部品番号:
W25Q128JV
W25Q128JV-IQ | 密度 | プロダクト数 | 上部の印 |
S SOIC-8 208ミル | 128Mビット | W25Q128JVSIQ | 25Q128JVSQ |
F SOIC-16 300ミル | 128Mビット | W25Q128JVFIQ | 25Q128JVFQ |
P WSON-8 6x5 mm | 128Mビット | W25Q128JVPIQ | 25Q128JVPQ |
E WSON-8 8x6 mm | 128Mビット | W25Q128JVEIQ | 25Q128JVEQ |
B （1） TFBGA-24 8x6 mm （5x5球の配列） | 128Mビット | W25Q128JVBIQ | 25Q128JVBQ |
C （1） TFBGA-24 8x6 mm （6x4球の配列） | 128Mビット | W25Q128JVCIQ | 25Q128JVCQ |
Y （3） 24ボールWLCSP | 128Mビット | W25Q128JVYIQ | Q128J VYIQ |
W25Q128JV-JQ | 密度 | プロダクト数 | 上部の印 |
S SOIC-8 208ミル | 128Mビット | W25Q128JVSJQ | Q128JVSJQ |
F SOIC-16 300ミル | 128Mビット | W25Q128JVFJQ | Q128JVFJQ |
P WSON-8 6x5 mm | 128Mビット | W25Q128JVPJQ | Q128JVPJQ |
E WSON-8 8x6 mm | 128Mビット | W25Q128JVEJQ | Q128JVEJQ |
B （1） TFBGA-24 8x6 mm （5x5球の配列） | 128Mビット | W25Q128JVBJQ | Q128JVBJQ |
C （1） TFBGA-24 8x6 mm （6x4球の配列） | 128Mビット | W25Q128JVCJQ | Q128JVCJQ |
W25Q128JV-IM/JM （2）有効な部品番号:
W25Q128JV-IM | 密度 | プロダクト数 | 上部の印 |
S SOIC-8 208ミル | 128Mビット | W25Q128JVSIM | 25Q128JVSM |
F SOIC-16 300ミル | 128Mビット | W25Q128JVFIM | 25Q128JVFM |
P WSON-8 6x5 mm | 128Mビット | W25Q128JVPIM | 25Q128JVPM |
E WSON-8 8x6 mm | 128Mビット | W25Q128JVEIM | 25Q128JVEM |
B （1） TFBGA-24 8x6 mm （5x5球の配列） | 128Mビット | W25Q128JVBIM | 25Q128JVBM |
C （1） TFBGA-24 8x6 mm （6x4球の配列） | 128Mビット | W25Q128JVCIM | 25Q128JVCM |
W25Q128JV-JM | 密度 | プロダクト数 | 上部の印 |
S SOIC-8 208ミル | 128Mビット | W25Q128JVSJM | Q128JVSJM |
F SOIC-16 300ミル | 128Mビット | W25Q128JVFJM | Q128JVFJM |
P WSON-8 6x5 mm | 128Mビット | W25Q128JVPJM | Q128JVPJM |
E WSON-8 8x6 mm | 128Mビット | W25Q128JVEJM | Q128JVEJM |
B （1） TFBGA-24 8x6 mm （5x5球の配列） | 128Mビット | W25Q128JVBJM | Q128JVBJM |
C （1） TFBGA-24 8x6 mm （6x4球の配列） | 128Mビット | W25Q128JVCJM | Q128JVCJM |
概説
W25Q128JV （128Mビット）の連続フラッシュ・メモリは限られたスペース、ピンおよび力をシステムに貯蔵の解決に与えます。25Qシリーズは通常の連続抜け目がない装置をはるかに越えて柔軟性そして性能を提供します。それらはRAMに尾行する、二重/クォードSPI （XIP）からのコードを直接実行し、声、テキストおよびデータを貯えるコードにとって理想的です。装置はパワーのための1μA低の消費電流が付いている3.6V電源に単一2.7Vを作動させます。すべての装置はスペース節約のパッケージで提供されます。
W25Q128JVの配列は256バイトの65,536のプログラム可能なページそれぞれに組織されます。256バイトまで一度にプログラムすることができます。ページは16のグループ（4KBセクターの消去）、128のグループ（32KBブロックの消去）、256のグループ（64KBブロックの消去）または全体の破片（破片の消去）で消すことができます。W25Q128JVにそれぞれ4,096の消去可能なセクターおよび256の消去可能なブロックがあります。小さい4KBセクターはデータおよび変数貯蔵を要求する適用のより大きい柔軟性を可能にします。
W25Q128JVは標準的な連続周辺機器インターフェイス(SPI)を、二倍になりましたり/クォード入力/出力SPI支えます:連続時計、破片の選り抜き、シリアル データI/O0 (DI)、I/O1 （）、I/O2およびI/O3。133MHzまでののW25Q128JVのSPIのクロック周波数は速い読まれた二重を使用するとき/支えられ266MHz （二重入力/出力およびの同等のクロック レートを532MHz （クォード入力/出力のための133MHz X 4）は入力/出力をのための133MHz X 2）四つ揃えにします許可します。これらの移動率は標準的な非同期8および16ビットの平行フラッシュ・メモリに優ることができます。
さらに、装置はJEDECの標準的な製造業者および装置IDおよびSFDP、および64ビットの独特な通し番号および3つの256バイトの保証記録支えます。
特徴
SpiFlashの記憶の系列
高性能の連続フラッシュ
有効な「読まれる」連続的
低い電力、広い温度較差
4KBセクターとの適用範囲が広い建築
拡張セキュリティの特徴
スペース有効な包装
パッケージ:
管:（9000PCS/pack、90PCS/tube）
巻き枠:2000PCS/reel
W25Q128JVSSIQの代わりとなる項目:
P/N EN25QH128A-104HIP D25Q128CSIG XM25Q128BHIQ | 電圧 2.7V-3.6V 2.7V-3.6V 2.7V-3.6V | Mbit 128M 128M 128M | パッケージ bitSOIC-8 bitSOIC-8 bitSOIC-8 | ブランド 永劫 GD XMC |
W25X10 W25X20 W25X40 W25X80 W25X16 W25X32 W25X40BVSSIG W25Q32BVSSIG
W25Q64CVSSIG
4KBセクターとのW25Q=SPIの抜け目がない連続フラッシュ・メモリは、入力/出力二倍になりましたり/クォード
二重低い電力のフラッシュ・メモリ モジュール/クォードSPI WINBOND W25Q128JVSSIQ SOIC-8 128Mビット
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