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装置 | プログラム記憶 | データ記憶 | 入力/出力 | コンパレーター | 低頻度のアナログの前陣 | |
フラッシュ(単語) | SRAM (バイト) | EEPROM (バイト) | ||||
PIC12F635 | 1024 | 64 | 128 | 6 | 1 | N |
PIC16F636 | 2048年 | 128 | 256 | 12 | 2 | N |
PIC16F639 | 2048年 | 128 | 256 | 12 | 2 | Y |
高性能RISC CPU:
•学ぶ35の指示だけ:
- すべての単一周期の指示は枝を除外します
規定回転数:
- DC – 20のMHzの発振器/クロックの入力
- DC – 200 nsの命令サイクル
割り込み機能
8レベルの深いハードウェア積み重ね
直接の、間接および相対的なアドレッシング・モード
特別なマイクロ制御回路特徴:
PrecisionInternalOscillator:
- Factorycalibratedto±1%、典型的
- Softwareselectablefrequencyrangeof
8つのMHzから125のkHz
- Softwaretunable
- Two-SpeedStart-upmode
- Crystalfaildetectforcriticalapplications
- Clockmodeswitchingduringoperationfor
力の節約
Clockmodeswitchingforlow-poweroperation
パワーSavingSleepmode
Wideoperatingvoltagerange (2.0V-5.5V)
IndustrialandExtendedTemperaturerange
パワーonReset (POR)
航跡UpReset (WUR)
独立した弱い懸垂/プルダウン式の抵抗器
ProgrammableLow-VoltageDetect (PLVD)
パワーupTimer (PWRT) andOscillatorStart-up
タイマー(OST)
ブラウンoutReset (BOR)のwithsoftwarecontrol
選択
EnhancedLow-CurrentWatchdogTimer (WDT)
ソフトウェアによってオン破片の発振器(ソフトウェア選択可能な体言完全なprescalerを使って268秒)によって可能にして下さい
MultiplexedMasterClearwithpull-up/inputpin
Programmablecodeprotection (programand
データ独立者)
高EnduranceFlash/EEPROMcell:
- 100,000は抜け目がない持久力を書きます
- 1,000,000はEEPROMの持久力を書きます
- フラッシュ/データEEPROM保持:> 40年
、産業自動車、家電