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DO-35ガラス パッケージ検出のための低いVF小さい信号のショットキー ダイオード1N60 1N60P
特徴
1. 高い信頼性
2. 低い逆の現在および低い前方電圧
適用
低い現在の改正および高速の切換え
構造
ケイ素のエピタキシアル平面
絶対最高評価
Tj=25℃
変数 | テスト条件 | タイプ | 記号 | 価値 | 単位 |
反復的なピーク逆電圧 | 1N60 | VRRM | 40 | V | |
1N60P | VRRM | 45 | V | ||
ピーク前方サージ電流 | tp≦1 s | 1N60 | IFSM | 150 | mA |
1N60P | IFSM | 500 | mA | ||
前方連続的な流れ | Ta=25℃ | 1N60 | 30 | mA | |
1N60P | 50 | mA | |||
保管温度の範囲 | Tstg | -65~+125 | ℃ |
最高の熱抵抗
変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
包囲された接続点 | パソコン ボード50mm×50mm×1.6mm | RthJA | 250 | K/W |
電気特徴
変数 | テスト条件 | タイプ | 記号 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 |
前方電圧 | IF=1mA | 1N60 | VF | 0.32 | 0.5 | V | |
1N60P | VF | 0.24 | 0.5 | V | |||
IF=30mA | 1N60 | VF | 0.65 | 1.0 | V | ||
IF=200mA | 1N60P | VF | 0.65 | 1.0 | V | ||
逆の流れ | VR=15V | 1N60 | IR | 1 | 5 | μA | |
1N60P | IR | 5 | 10 | μA | |||
接続点キャパシタンス | VR=1V、f=1MHz | 1N60 | CJ | 2.0 | pF | ||
VR=10V、f=1MHz | 1N60P | CJ | 6.0 | pF | |||
逆の回復時間 | IF=IR=1mA Irr=1mA RC=100か。 | trr | 1.0 | ns |
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