512M 3.3V SDRAM 32Mx16 166MHz 54 Pin TSOP IIのドラムIS42S16320F-6TLI

IS42S16320F-6TLIのドラム512M、3.3V、SDRAM、32Mx16、166MHz、54 Pin TSOP II （400ミル） RoHS、IT

1.FEATURES

クロック周波数:200、166、143のMHz
•十分に同期;すべての信号は肯定的なクロック エッジに参照した
•隠れる列のアクセス/前充満のための内部銀行
•電源:Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxF - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxF - Vdd/Vddq = 2.5
•LVTTLインターフェイス•プログラム可能な破烈させた長さ– （1、2、4、8の全ページ）
•プログラム可能な破烈させた順序:順次/インターリーブ•自動車は新たになる（CBR）•自己は新たになる
•8Kは循環させるあらゆる64氏を新たになる
•任意カラム・アドレスあらゆる時計サイクル
•プログラム可能なCASの潜伏（2、3個の時計）
•読まれる/単一破烈させた読み書きおよび破烈は作業能力を書く
•破烈させた停止および前充満命令による破烈の終了
•パッケージ:x8/x16:54ピンTSOP-IIの54ボールTF-BGA （唯一のx16）
•温度較差
:コマーシャル（0oCへの+70oC）
産業（- 40oCへの+85oC）
自動車、A1 （- 40oCへの+85oC）
自動車、A2 （- 40oCへの+105oC）

2.DEvIcE概観

512Mb SDRAMは高速CMOSのドラムの選択によってどちらの3.3V Vdd/Vddqor 2.5V Vdd/Vddqmemoryシステムでも、作動するように設計されているダイナミックRAMである。内部的には同期インターフェイスとクォード銀行ドラムとして形成されて。
512MbによってSDRAM （536,870,912ビット）は自動車を新たになるモードおよびパワーdownmodeパワー セービングが含んでいる。すべての信号は刻時信号、CLKの肯定的な端で登録されている。すべての入出力は互換性があるLVTTLである。
512Mb SDRAMに同期的に自動コラム住所生成との高いデータ転送速度、内部銀行の間で入れ込む機能でデータを破烈させる機能が前充満の時間および機能を隠すために任意に破烈させたアクセスの間に各時計サイクルのカラム・アドレスを変えるある
。破烈の終わりに始められる自己時限列の前充満
順序は自動前充満と利用できるfunctionenabled。他の3つの銀行の1にアクセスすることが前充満周期を隠し、継ぎ目が無く、高速の、ランダム・アクセス操作を提供する間、1つの銀行を前もって満たしなさい。
SDRAMは指定位置にライト・アクセスをである破烈によって方向づけられた始まり、プログラムされた順序の位置のプログラムされた数のための継続読み。活動的な命令の登録は読書に先行しているアクセスを始めるかまたは命令を書く。登録されている住所ビットと共の活動的な命令がアクセスされるべき銀行および列を選ぶのに使用されている（BA0、BA1は銀行を選ぶ;A0-A12は列を選ぶ）。読書がまたは命令を登録されている住所ビットと共に書くために破烈させたアクセスに開始のコラムの位置を選ぶのに使用されている。
プログラム可能な読書または破烈させた長さを破烈の1つ、2つ、4つそして8つの位置か全ページから、成るために書くため選択を終えるため

3.PIN CONFIGURATIONS54ピンTSOP - x16のためのタイプII

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