THGBMDG5D1LBAIT EMMC 4GB否定論履積EEPROMの電子集積回路

KioxiaアメリカTHGBMDG5D1LBAITのeMMC 4GB否定論履積EEPROMの記憶及びデータ記憶

e•MMCTMは統合されたコントローラーとの高度、非常に能率的な否定論履積のフラッシュ・メモリの系列および高められた記憶域管理です。JEDECによって標準化されるインターフェイスに基づく東芝のe•MMCはより高いデータ容積がコスト効率が高い方法で貯えられる必要がある適用のための適した解決を提供します。それはマルチメディア カード連合（MMCA）の高速記憶インターフェイス規格に完全に準拠しています

4GB THGBMDG5D1LBAILINTRODUCTIONTHGBMDG5D1LBAILは153球BGAのパッケージで収容されるe MMCモジュール プロダクトの4GB密度です。この単位は多破片モジュールとして組み立てられる利用された高度の東芝否定論履積のフラッシュの装置およびコントローラ チップです

図1の図表はCVCCというCREGそして推薦された値のTHGBMDG5D1LBAIL.Specificationの主要な機能ブロックを説明し、図1のCVCCQはfollows.ParameterSymbolUnitMin.Typとしてあります。Max.RemarkVDDiのコンデンサーのvalueCREGμF 0.10 - 2.2*Except HS400μF 1.00 - 2.2*HS400 VCCのコンデンサーのvalueCVCCμF - 2.2 + 0.1 -はVCCQのコンデンサーのvalueCVCCQμF - 2.2 + 0.1 -価値が通常CREGの価値として適用されるべきであることを*東芝推薦します。図1 THGBMDG5D1LBAILのブロックのDiagramVccQ （1.8V/3.3V） Vcc （3.3V） MMC I/F （1.8V/3.3V） PackageMMC入力/出力BLOCKCREGNAND入力/出力BLOCKx11CORE LOGICVDDiCVCCCVCCQNAND I/ONANDI/O BLOCKNANDControlのsignalR例えばU L ATO R

Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。

A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。

法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙を得た後あなたの決め付けられた箱の商品を詰めてもいいです。

Q2. あなたのMOQは何ですか。

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Q4:いかに私達のビジネスを長期におよびよい関係しますか。

私達は良質を保ち、私達の顧客を保障する競争価格は寄与します;

私達は私達の友人および私達が誠意をこめてビジネスをし、それらを持つ友人を作ると同時にあらゆる顧客、それをではないです取り替えることができる何か尊重します。

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