50mW 532nmのレーザー光線写真検出のための狭い輝線幅レーザー

型式番号:532nm狭い輝線幅レーザー
最低順序量:1
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532nm狭い輝線幅レーザー

狭い輝線幅レーザー システムは私達の特別なプロダクトである。この一連のプロダクトは構造で密集し、携帯用、そして便利である。短いキャビティ方法、方向光学フィードバック締まる、VBGの波長作り付けの半導体の冷凍、等のような基幹技術がレーザーの狭い輝線幅、安定した力および安定した分光出力を実現するのに使用されている。(ダウンロードPDF)

モデル CL532 MIF50mW NLM001CL532-MIF (FP) - 50mW-NLM002
光学変数中央波長(nm)532532
波長の許容(nm)±0.5±0.5
出力電力(MW)5050
線幅(nm)<0><0>
波長の安定性±0.005nm @8Hのタイプ。±0.005nm @8Hのタイプ。
力の安定性±1.5% @8Hのタイプ。±1.5% @8Hのタイプ。
側面モード除去率(dB)4040
システム・パラメータ力の調整範囲0~100%0~100%
予備加熱しなさい時間(分)を1515
調節入力1kHz TTLOrアナログsignal0-5V1kHz TTLOrアナログsignal0-5V
制御インタフェースUSB、BNCUSB、BNC
繊維インターフェイスSMA905FC/PC
適応性がある光ファイバー105µm、0.22NA105µm、0.22NA
入力100V-240V 50/60Hz100V-240V 50/60Hz
システム パワー消費量<7w Typ=""><7w Typ="">
保管温度(℃)-10~60-10~60
貯蔵の湿気0~80%RH0~80%RH
実用温度(℃)10~3510~35
システム重量(Kg)2.52.5
システムの大きさ(mm)150102ⅹ ⅹ 200150102ⅹ ⅹ 200

 

  • 線幅 <0>
  • 頻度安定性± 0.005nm@8Hよりよく
  • 側面モード除去率は40dB (任意60dB)よりよい
  • 携帯用操作、温度の漂流 <0>
  • 作り付けの技術はの力の安定性± 1.5%よりよい
  • ホスト コンピューター制御、非常停止スイッチ、短絡の保護および他の機能を含んで

 

  • ラマン分光学
  • 蛍光性スペクトルの検出
  • レーザー光線写真検出
  • 転換材料
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50mW 532nmのレーザー光線写真検出のための狭い輝線幅レーザー

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