陶磁器高い熱伝導性400mmの窒化アルミニウム

型式番号:カスタマイズされる
原産地:中国
最低順序量:ご注文ごとに1個
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Shenzhen Guangdong China
住所: 第8建物、Futingの工業団地、朱の村、Guanlan、Longhua、シンセン、中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

半導体のための熱伝導性の窒化アルミニウムのAlN高い陶磁器シート

AlN陶磁器シートの主な特徴
1. 高い熱伝導性(170 ~220) W/m.kのそれはアルミナのそれの高く5~8.5倍です
2. ケイ素(Si)のそれはのそれへの同じような熱膨張率Siの破片の高い信頼性の達成を助けます
3. 高い絶縁抵抗および電圧抵抗の強さ、しかし低い比誘電率および誘電性損失
4. 高い機械強さ、それは気孔率なしに450MPaおよび非常に密な陶磁器ボディまであります
5. それは99%のそれまで非常に高い純度をで、毒性がまた会いますRoHSの範囲の規則に提供します

AlN陶磁器シートの指定

1. 私達は多くの円形の陶磁器のウエファーの、正方形及び長方形の陶磁器の基質と供給しています
2. AlNのウエファーの典型的な厚さは0.38mm、0.5mm、0.635mm、1.0mm、1.2mm、1.5mmをカバーします
3. 円形の陶磁器のウエファーの最も大きい直径は3mm、4mm、厚い5mmの400mmまでである場合もあります
4. 最高。正方形および長方形の陶磁器のウエファーのサイド長に400mmは500mmによって行う場合もあります
5. 表面処理:それは1側である場合もありままたは側面の磨かれた倍増しま、金属で処理するか、または砂を吹き付けます
6. 次として典型的な厚さの標準サイズのチェックリスト:
S/N厚さサイズ
10.38

50.8 x 50.8mm

76.2 x 76.2mm

101.6 x 101.6mm

110 x 110mm

114.3 x 114.3mm

120 x 120mm

127 x 127mm

20.50
30.635
41.0
51.2
61.5

AlN陶磁器シートの記述

陶磁器窒化アルミニウムに(AlN) Siと一致する高い熱伝導性、高力、高い抵抗、小さい密度、低い比誘電率、無毒な、および熱拡張係数のような優秀な特性があります。それは優秀な広範囲の性能の陶磁器材料の新型です。非常に高い熱伝導性が原因で、窒化アルミニウムは光通信、マイクロウェーブ コミュニケーション、LEDおよび高速鉄道のような強力な装置の熱放散の条件を満たすことができます。新しい世代の半導体の基質および電子デバイスの包装のための理想的な材料であることを考慮します。

AlNの陶磁器のウエファーおよび陶磁器シートの特性のデータ用紙

概要特性単位価値
機械純度%≥99
体積密度g/cm3≥3.30
灰色
気孔率%0
耐圧強度MPa-
曲がる強さMPa450
弾性率MPa330
ひびの靭性Mpam1/23
最高。整備して下さい温度(非ローディング)を1800
熱伝導性(25℃)W/m.k≥170
(CTE)熱膨張率1*10-6 m/k4.6
比熱1 x 103J/(kg·K)0.74
電気容積抵抗(25℃)ohm.cm1*1014
絶縁材の故障KV/mm25
比誘電率(1Mhz)(e)8.7

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