高い純度99.5%のPvdの塗装システムのためのチタニウムの放出させるターゲット

型式番号:チタニウムの放出させるターゲット
原産地:中国
最低順序量:1 kg
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:100000kgs/M
受渡し時間:10~25の仕事日
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製品詳細

チタニウムの放出させるターゲット99.5%、99.95% D100x40mm、D65x6.35mm

純度は目標資料の純度にフィルムの性能の大きい影響があるので、目標資料の主要な性能の索引である。


目標資料の主要な性能要件:


純度は目標資料の純度にフィルムの性能の大きい影響があるので、目標資料の主要な性能の索引である。但し、実用化に、ターゲットの純度の条件は同じではない。例えば、マイクロエレクトロニクスの企業の急速な開発と、シリコン チップのサイズは6"からワイヤーで縛る幅は0.5umから0.25um、0.18umまた更に0.13umに減ったが、12"への8"開発された。以前は、ターゲット純度の99.995%は0.18umラインの準備はターゲット純度の99.999%また更に99.9999%を要求するが0.35um ICのプロセス条件を満たすことができる。

 

気孔のターゲット固体および酸素および水蒸気の不純物は主要な汚染の源である。異なった目標資料に別の不純物内容のための異なった条件がある。例えば、半導体の企業のための純粋なアルミニウムにそしてアルミ合金 ターゲットにアルカリ金属の内容および放射性元素の内容のための異なった条件がある。


ターゲット固体の気孔率を減らし、放出させたフィルムの特性を改良するために、ターゲットは通常高密度があるように要求される。ターゲットの密度はだけでなく、放出させる率に影響を与えるが、またフィルムの電気および光学的性質に影響を与える。ターゲット密度がより高ければ、よりよいフィルムの性能は。さらに、ターゲットの密度そして強さを高めることはターゲットに放出させるプロセスの熱圧力に抗させるよりよくことができる。密度はまたターゲットの主要なパーフォーマンスの索引である。


通常、目標資料は多結晶性構造であり、結晶粒度はマイクロメートルからミリメートルにである場合もある。同じ一種のターゲットのために、小さい結晶粒度のターゲットの放出させる率は小さい結晶粒度の相違(均一配分)を用いるターゲットによって沈殿するフィルムの厚さの配分は均一であるが、大きい結晶粒度のターゲットのそれより速い。

 

チタニウムの放出させるターゲット、チタニウムの放出させるターゲット99.95%

さまざまなサイズで利用できてであって下さい

 

D100x40mm、D65x6.35mm

 

製品名要素Purirty融点の℃密度(g/cc)利用できる形
高く純粋なスライバAg4N-5N96110.49ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋なアルミニウムAl4N-6N6602.7ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋な金Au4N-5N106219.32ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋なビスマスBi5N-6N271.49.79粒子、ターゲット
高く純粋なカドミウムCD5N-7N321.18.65粒子、ターゲット
高く純粋なコバルトCo4N14958.9粒子、ターゲット
高く純粋なクロムCr3N-4N18907.2粒子、ターゲット
高く純粋な銅CU3N-6N10838.92ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋なFerroFe3N-4N15357.86粒子、ターゲット
高く純粋なゲルマニウムGE5N-6N9375.35粒子、ターゲット
高く純粋なインジウム5N-6N1577.3粒子、ターゲット
高く純粋なマグネシウムMg4N6511.74ワイヤー、粒子、ターゲット
高く純粋なマグネシウムMn3N12447.2ワイヤー、粒子、ターゲット
高く純粋なモリブデンMo4N261710.22ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋なニオブNb4N24688.55ワイヤー、ターゲット
高く純粋なニッケルNI3N-5N14538.9ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋な鉛Pb4N-6N32811.34粒子、ターゲット
高く純粋なパラジウムPd3N-4N155512.02ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋なプラチナPt3N-4N177421.5ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋なケイ素Si5N-7N14102.42粒子、ターゲット
高く純粋な錫Sn5N-6N2327.75ワイヤー、粒子、ターゲット
高く純粋なタンタルTa4N299616.6ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋なテルルTe4N-6N4256.25粒子、ターゲット
高く純粋なチタニウムチタニウム4N-5N16754.5ワイヤー、粒子、ターゲット
高く純粋なタングステンW3N5-4N341019.3ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋な亜鉛Zn4N-6N4197.14ワイヤー、シート、粒子、ターゲット
高く純粋なジルコニウムZr4N14776.4ワイヤー、シート、粒子、ターゲット

 

 

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高い純度99.5%のPvdの塗装システムのためのチタニウムの放出させるターゲット

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