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包装 | テープ及び巻き枠(TR) |
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部分の状態 | 活動的 |
運転された構成 | 半橋 |
チャネル タイプ | 独立した |
運転者の数 | 2 |
ゲートのタイプ | IGBT、N-Channel MOSFET |
電圧-供給 | 10V | 20V |
論理の電圧- VIL、VIH | 0.8V、2.5V |
現在-ピーク出力(源、流し) | 1.9A、2.3A |
入れられたタイプ | 非逆になること |
最高高い側面の電圧- (ブートストラップ) | 600V |
上昇/落下の時間(タイプ) | 40ns、20ns |
実用温度 | -40°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅) |
基礎部品番号 | IRS2181SPBF |
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