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| 包装 | 管 |
|---|---|
| 部分の状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 900V |
| 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 39A (Tc) |
| ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
| (最高) @ ID、VgsのRds | 220 mOhm @ 500mA、10V |
| Vgs ((最高) Th) @ ID | 5V @ 8mA |
| ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 390nC @ 10V |
| Vgs (最高) | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 9200pF @ 25V |
| 電力損失(最高) | 694W (Tc) |
| 実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
| タイプの取付け | シャーシの台紙 |
| 製造者装置パッケージ | SOT-227B |
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