M12L64164A-6TG2Yのフラッシュ・メモリICの破片
型式番号:ESMTメモリIC
原産地:台湾
最低順序量:100pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
包装の細部:元の包装
製品名:集積回路
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確認済みサプライヤー
Shenzhen Guangdong China
住所：
6FのZよい科学の革新公園、第4 Yintian道、XixiangのSub-district、Banao地区、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 2 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
ESMTの電子工学の記憶IC
Elite Semiconductor Memory Technology Inc. （『ESMT』）、台湾ベースの記憶IC設計会社は1998年6月の先生によってChao、創設された。私達はさまざまな記憶ICの提供者と最初に私達自身を定義してしまった。主記憶操置、PC、サーバーに、およびワークステーション使用するすなわち、ドラムと対照をなして私達のドラム プロダクトはPCペリフェラル、IAプロダクト、消費者製品、光学装置および通信機器のようなセクターで使用される専門のドラムの記憶に焦点を合わせる。
私達ETSEいろいろな種類のESMTの電子工学ICの破片の部品、腕のマイクロ制御回路破片、デジタル バス スイッチICのアナログ スイッチIC破片、多重交換装置スイッチIC、反対ICのUSBスイッチIC、無線充満ICを等提供するため。
| モデルいいえ。 | 記述 | モデルいいえ。 | 記述 |
|---|---|---|---|
| M12L16161A-5TG2Q | 512K X 16Bit Xの2Banks同期高いデータ 率の動的RAM、50 TSOPII、SDRAM 3.3V | M12L32321A-5BG2G | 512K X 32Bit Xの2Banks同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3V |
| M12L16161A-7TG2Q | 512K X 16Bit Xの2Banks同期高いデータ 率の動的RAM、50 TSOPII、SDRAM 3.3V | M12L32321A-6BG2G | 512K X 32Bit Xの2Banks同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-5TG2Y | 1M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ | M12L32321A-7BG2G | 512K X 32Bit Xの2Banks同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3V |
| M12L64164A-6TG2Y | 1M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ | M12L128168A-5TG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ |
| M12L64164A-7TG2Y | 1M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ | M12L128168A-6TG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ |
| M12L64164A-5BG2Y | 1M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ | M12L128168A-7TG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ |
| M12L64164A-6BG2Y | 1M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ | M12L2561616A-5TG2S | 4M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ |
| M12L64164A-7BG2Y | 1M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ | M12L2561616A-6TG2S | 4M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ |
| M12L5121632A-5TG2S | 8M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ | M12L2561616A-7TG2S | 4M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ |
| M12L5121632A-6TG2S | 4M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ | M12L5121632A-7TG2S | 4M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、SDRAM 3.3Vかんだ |
| EN39LV010 | 1メガビット（8ビット128K X） 4 Kバイトの均一セクター、 CMOS 3.0のボルトだけフラッシュ・メモリ | EN29LV040A | 4メガビット（8ビット512K X）の均一セクター、 CMOS 3.0のボルトだけフラッシュ・メモリ |
| EN29LV400A | 4メガビット（X 16ビット8ビット/256K 512K X）のフラッシュ・メモリ ブート・セクタ フラッシュ・メモリ、ボルトだけCMOS 3.0 | EN29LV800C | 8メガビット（X 16ビット8ビット/512K 1024K X）のフラッシュ・メモリ、ブート・セクタ フラッシュ・メモリ、CMOS 3V |
| EN39SL800 | 4Kbytes均一セクターとの8メガビット（16ビット512K X）のフラッシュ・メモリ、ボルトだけCMOS 1.8 | EN29LV160C | 16メガビット（8ビット2048K X/1024K x16ビット）フラッシュ・メモリ、ブート・セクタ フラッシュ・メモリ、CMOS 3.0V |
| EN39SL160AH/L | 4Kbytes均一セクターとの16メガビット（16ビット1024K X）のフラッシュ・メモリ、ボルトだけCMOS 1.8 | EN29LV320C | 32メガビット（8ビット4096K X/2048K x16ビット）フラッシュ・メモリ、ブート・セクタ フラッシュ・メモリ、CMOS 3.0V |
| EN29LV160D （2W） | 16メガビット（X 16ビット8ビット/1024K 2048K X）のフラッシュ・メモリ ブート・セクタ フラッシュ・メモリ、ボルトだけCMOS 3.0 | EN29LV640A | 64メガビット（8M x 8ビット/16ビット4M x）のフラッシュ・メモリ、ブート・セクタ フラッシュ・メモリ、CMOS 3.0V |
| M12L16161A-5TVG2Q | 512K X 16Bit x 2Banksの同期高いデータ転送速度の動的RAM、50 TSOPII、自動車等級 | M12L64164A （2C） | 1M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、自動車等級かんだ |
| M12L16161A-7TVG2Q | 512K X 16Bit x 2Banksの同期高いデータ転送速度の動的RAM、50 TSOPII、自動車等級 | M12L128168A-5TVG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、自動車等級かんだ |
| M12L128168A-5TVAG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、自動車等級かんだ | M12L128168A-6TVG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、自動車等級かんだ |
| M12L128168A-6TVAG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、自動車等級かんだ | M12L128168A-7TVG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、自動車等級かんだ |
| M12L128168A-7TVAG2N | 2M x 16はXつを4銀行同期高いデータ転送速度の動的RAM、自動車等級かんだ | AD62556 | ヘッドホーンの運転者が付いているUSBの可聴周波コントローラー 及びラインのマイクロフォンと/インターフェイス |
| AD22654 | 調節可能な利益の3-Vrms帽子なしのライン・ドライバ | AD22650 | 単一の供給の電子工学のための3-Vrms帽子なしのステレオのライン・ドライバ |
| AD22654B | 単一の供給の電子工学のための3-Vrms帽子なしのステレオのライン・ドライバ | AD62550 | USB/I2のクラスDの音声の電力増幅器 Sインターフェイス |
| AD62553 | インターフェイス ラインのUSBの可聴周波コントローラー及び クラスDの電力増幅器およびヘッドホーンの運転者を使って | AD62557 | クラスDの電力増幅器が付いている及びマイクロフォンが付いている/インターフェイス ラインのUSBの可聴周波コントローラー |
私達はまたETSE買うために、残り、余分な、製造中止になったプロダクトおよび時代遅れの電子工学の目録在庫過剰になる。私達はあなたが割引倉庫のために持つかもしれないいろいろな種類のIC、コンデンサーおよび他のどの電子工学の部品にも興味がある。
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