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SFP+ LRは高性能のためにとりわけ統合した光ファイバー単一モード上の複式アパートのデータ伝送を設計されている。このトランシーバー モジュールは小さい形態要因プラグイン可能なプラス(SFP+)のMultisource一致(SFF-8431 Rev4.1)と迎合的である。このトランシーバーのタイプは10.3125までGbpsのシリアル データの輸送のためにとりわけ最大限に活用されるリンク特徴に802.3aeおよび10G繊維チャネル1200-SM-LL-Lは10ギガビットのイーサネット10GBASE-LR基盤IEEEに従った。
ホットプラグ対応 サポート
より低いEMIの金属
優秀なESDの保護
DFBの送信機およびPINの受信機
典型的な中心の波長:1310nm
SMFの最高のリンク長さ20Kmまで
迎合的な、無鉛RoHS
SFF-8472と互換性があるデジタル診断
場合操作の温度:- 40℃~+85℃
単一3.3V電源および低い電力の消滅 <1>
10GBASE-LR/LWイーサネット@10.3125G
繊維チャネル800-SM-LC-L 8GFC @8.5G、1200-SM-LL-L 10GFC @10.51875G
SONET OC-192及びSDH STM-64 @9.953G
CPRIの選択#7 @9.83G、#8 @10.1376G
OTN OTU2 @10.7G、OTU2e @11.09G、OTU2f @11.32G
変数 | 記号 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 | ノート |
作動の日付率 | DR | 8.5 | 10.3125 | 11.32 | Gb/s | |
光学進水力 | Po | -8.2 | +0.5 | dBm | 1 | |
光心の波長 | λc | 1260 | 1310 | 1355 | nm | |
分光幅(- 20dB) | Δλ | 1 | nm | |||
側面モード抑制の比率 | SMSR | 30 | dB | |||
光学絶滅の比率 | ER | 3.5 | dB | |||
光学目マスク | IEEE802.3ae | |||||
相対的な強度の騒音 | RIN | -128 | dB/Hz | |||
差動振動をデータ入力 | VIN | 180 | 850 | mV | ||
TXのディスエイブルによって入れられる電圧低い(TX) | TDISVL | GND | 0.8 | V | ||
TXのディスエイブルによって入れられる電圧の高さ(TX) | TDISVH | 2.0 | Vcc | V | ||
TXの欠陥は電圧低い出力した(TXの常態) | TFLTVL | GND | 0.8 | V | ||
TXの欠陥は電圧の高さを出力した(TXの欠陥) | TFLTVH | 2.0 | Vcc | V |
変数 | 記号 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 | ノート |
作動の日付率 | DR | 8.5 | 10.3125 | 11.32 | Gb/s | |
受信機の感受性 | PIN_min | -14.5 | dBm | 1 | ||
最高の入力パワー | PIN_max | +0.5 | dBm | 1 | ||
光心の波長 | λc | 1260 | 1620 | nm | ||
LOSは非主張する | LOSD | -15.5 | dBm | |||
LOSは主張する | LOSA | -30 | dBm | |||
LOSヒステリシス | LOSHY | 0.5 | dB | |||
差動データ出力の振動 | VOUT | 300 | 900 | mV | ||
受信機LOS信号は電圧低い出力した | LOSVL | GND | 0.8 | V | ||
受信機LOS信号は電圧の高さを出力した | LOSVH | 2.0 | Vcc | V |