炭化ケイ素の電気発熱体Dia 8mmの高密度
型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、T/T、D/A、D/P、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間:7-10の仕事日
企業との接触
Add to Cart
正会員
Zhengzhou Henan China
住所：
第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
1550の℃の炭化ケイ素の電気発熱体
炭化ケイ素の発熱体は一種の非金属高温電気発熱体である。炭化ケイ素の発熱体はブランク、高温の下のsiliconizationになされ、再結晶する主要な材料として指定良質の緑の炭化ケイ素から成っている。それは最も普及したタイプの熱く、厳密な環境の下で作動することができる経済的な発熱体である。
炭化ケイ素の発熱体の塗布
エレクトロニクス産業
冶金学
Al/Zn工業
陶磁器の企業
フロート ガラスの企業
光学ガラスの企業
実験装置
蛍光性の粉
別の実用温度の要素の表面への推薦された表面の負荷そして影響
| 大気 | 炉の温度（°C） | 表面の負荷（W/cm2） | 棒の影響 |
| アンモナル | 1290 | 3.8 | SiCの行為はメタンを作り出し、SiO2の保護フィルムを破壊する |
| 二酸化炭素 | 1450 | 3.1 | SiCを腐食しなさい |
| 一酸化炭素 | 1370 | 3.8 | カーボン粉を吸収し、SiO2の保護フィルムに影響を及ぼしなさい |
| ハロゲン | 704 | 3.8 | SiCを腐食し、SiO2の保護フィルムを破壊しなさい |
| 水素 | 1290 | 3.1 | SiCの行為はメタンを作り出し、SiO2の保護フィルムを破壊する |
| 窒素 | 1370 | 3.1 | SiCの行為は窒化珪素の絶縁層を作り出す |
| ナトリウム | 1310 | 3.8 | SiCを腐食しなさい |
| 二酸化ケイ素 | 1310 | 3.8 | SiCを腐食しなさい |
| 酸素 | 1310 | 3.8 | SiCは酸化した |
| 水蒸気 | 1090-1370 | 3.1-3.6 | SiCの行為はケイ素の水和物を作り出す |
| 炭化水素 | 1370 | 3.1 | カーボン粉を起因した熱い汚染で吸収しなさい |
の後で照会をするか、または順序を置くとき炭化ケイ素の発熱体に提供されることはある:
- タイプ:U
- 外の直径（OD）:またはmm、
- 熱い地帯の長さ（HZ） （熱するセクション）:またはmm、
- 冷たい地帯の長さ（CZ）:またはmm、
- （a）の間隔をあけるすね:またはmm
- 全面的な抵抗:Ω
一例として:
Uのタイプ、OD=20mm、HZ=300mm、CZ=200mm、A=60mm、Resistance=1.84Ω
次のように指定しなさい:SiC U20/300/200/60/1.84Ω
炭化ケイ素の発熱体映像
炭化ケイ素の電気発熱体Dia 8mmの高密度
お問い合わせカート
0