Ferroelectric薄膜高いTcの超伝導体のためのアーク溶ける方法MgOのウエファー

型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間:3仕事日
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Zhengzhou Henan China
住所: 第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

 

ferroelectric薄膜、高いTcの超伝導体を作るためのアーク溶ける方法によって作り出されるMgOのウエファー

 

私達はferroelectric薄膜、高いTcの超伝導体を作るために、また最高の直径の光電子工学の適用にアーク溶ける方法によって作り出される良質の単結晶MgOのウエファーを2インチまで提供する。MgOのウエファーは円形で製造することができるまたは半平らののまたは平たい箱、磨かれている1つの側面または、10 x10 mmからの2"へのサイズのない正方形の形は、磨かれている、双方0.4、0.5、1つから2つのmmの表面からの厚さの範囲低い表面の粗さと磨かれるepiである。私達にさまざまなオリエンテーション<100>、<110>および<111>の対の自由な、ディフェクト フリーMgOの基質があり、高精度の表面の終わりは、より多くの製品に関する情報のための私達に連絡する。

 

MgOのウエファーの塗布

 

高いTcの超伝導体マイクロエレクトロニクス装置
光電子工学装置マイクロウェーブ装置

 

MgOのウエファーの特性

 

化学式MgO
結晶構造立方
一定したに格子をつけなさい4.212 A
比誘電率9.8
熱拡張12.8
密度3.58

製品仕様書

 

成長アークの融合
直径Øの1"/Ø 2"
サイズ10 x 10/20 x 20/30 x 30/40 x 40のmm
厚さ0.5 mm/1つのmm
オリエンテーション<100>/<110>/<111>
表面磨かれる/磨かれる双方1つの側面
TTV<= 10 um
荒さRAの<= 10 A
パッケージ単一のウエファーの容器
 
China Ferroelectric薄膜高いTcの超伝導体のためのアーク溶ける方法MgOのウエファー supplier

Ferroelectric薄膜高いTcの超伝導体のためのアーク溶ける方法MgOのウエファー

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