伝導性Nbによって添加されるSrTiO3ウエファーの技術的な陶磁器の部品5つx 5つのMmの直径25Mm
型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間:3仕事日
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Zhengzhou Henan China
住所：
第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
5つx 5つのmmからの直径へのサイズのSrTiO3ウエファーそして伝導性Nbによって添加されるSrTiO3ウエファー25のmm
私達は5つx 5つのmmからの直径にサイズを25のmm両方の単結晶のSrTiO3ウエファーおよび伝導性Nbによって添加されるSrTiO3ウエファーに与えてもいい。優秀で物理的なおよび機械特性によって、SrTiO3に対の自由な結晶構造があり、共通の超伝導体材料に格子をつけるcontant完全に一致できるある。純粋なSrTiO3基質はある特定の薄膜/装置塗布のための電極としてNb （ニオブ）の添加によってあなたの高いTcの超伝導体の塗布のための最もよい選択、伝導性SrTiO3ウエファーある場合もある単結晶SrTiO3電気伝導性を表わすことができる別の添加された集中である（0.1は薄膜の塗布に利点0.001から0.1オームcmに| 1つのwt %）抵抗の範囲、およびこれをである変える。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
SrTiO3ウエファーの塗布
| 高いTcの超伝導体 | マイクロエレクトロニクス装置 |
| 光電子工学装置 | マイクロウェーブ装置 |
SrTiO3ウエファーの特性
| 化学式 | SrTiO3 |
| 結晶構造 | 立方 |
| 一定したに格子をつけなさい | 3.905 A |
| 比誘電率 | 300 |
| 熱拡張 | 10.4 |
| 密度 | 5.175 |
製品仕様書
| 成長 | 炎の融合（Verneuil）方法 |
|---|---|
| 直径 | Ø 1" |
| サイズ | 5 x 5/10 x 10/20 x 20のmm |
| 厚さ | 0.5 mm/1つのmm |
| オリエンテーション | <100>/<110>/<111> |
| 表面 | 磨かれる/磨かれる双方1つの側面 |
| TTV | <= 10 um |
| 荒さ | RAの<= 5 A |
| パッケージ | Membrance箱 |
伝導性Nbによって添加されるSrTiO3ウエファー
単結晶SrTiO3はNbの要素の添加によって電気伝導性を表わすことができる別の添加された集中は0.001から0.1オームcmに抵抗の範囲を変え、これは薄膜の成長の適用に利点である。
| 成長 | 炎の融合（Verneuil）方法 |
|---|---|
| 直径 | Ø 1" |
| サイズ | 5 x 5/10 x 10/20 x 20のmm |
| 厚さ | 0.5 mm/1つのmm |
| オリエンテーション | <100>/<110>/<111> |
| 添加物 | Nb （ニオブ） |
| 集中 | 0.7 wt % |
| 抵抗 | | 0.007オームcm |
| 移動性 | | 8.5のcm2/v.s。 |
| 表面 | 磨かれる/磨かれる双方1つの側面 |
| TTV | <= 10 um |
| 荒さ | RAの<= 5 A |
| パッケージ | Membrance箱 |
伝導性Nbによって添加されるSrTiO3ウエファーの技術的な陶磁器の部品5つx 5つのMmの直径25Mm
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